近日，据韩国媒体报道，三星目前正在开发具有 160 层或更高层的第 7 代 V-NAND 快闪存储器，并且在相关技术方面已经取得重大进展。
当前，3D NAND Flash 快闪存储器产品量产的最高堆叠层数为 128 层，而如果报道属实的话，三星所研发的更高层数的快闪存储器将是一次突破。
另外，报道还指出，三星的第 7 代 V-NAND 快闪存储器将采用“双堆叠”的技术来达到更多堆叠层的目的。就现阶段来说，如果完成 160 层堆叠的 V-NAND 快闪存储器开发，将成为业界最高堆叠层数的产品。
在存储器产业中，当下的存储器均称为 3D NAND Flash 的快闪存储器，而三星则正在研发 V-NAND 快闪存储器，从名字来看就是下一代的产品。另一方面，堆叠层数的多少是 3D NAND Flash 快闪存储器厂商的核心竞争力，而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商。这一方面也是无需质疑的，一个证据就是，三星在 2019 年以 166.7 亿美元(约 20 万亿韩元)的营收，在全球 3D NAND Flash 快闪存储器市场上成为龙头，市占率达到 35.9%。
而从客观上来讲，尽管新冠肺炎疫情爆发严重，但是三星仍在继续进行存储器生产与研发的投资，并没有停产或者受到影响，还进一步对西安的 NAND Flash 快闪存储器工厂进行扩产，可以说是不降反增。
不过这并不是唯一的研发报道，有消息称，除了三星之外，韩国另一个存储器大厂 SK Hynix 也在宣布了 160 层或更高层堆叠的 3D NAND Flash 快闪存储器开发与生产规划。对于我们消费者而言，技术当然是越先进越好，发展越快越好。而对于三星而言，这次研发能否让其脱颖而出，还有待市场的检验。
（文章来源：与非网）
