来源：中国证券报-中证网
原标题：东芯股份：将适时研发3D NANDFlash产品
3月23日，东芯股份回复了科创板IPO申请第二轮问询。公司表示，未来将在充分考虑代工可行性、工艺稳定性、市场空间等因素的前提下，适时研发3D NANDFlash产品。
东芯股份是领先的存储芯片设计公司，聚焦中小容量通用型存储芯片的研发、设计和销售，同时提供NAND、NOR、DRAM等存储芯片完整解决方案，以及芯片定制开发服务。本次公司拟募资7.5亿元，用于1xnm闪存产品研发及产业化项目、车规级闪存产品研发及产业化项目、研发中心建设项目和补充流动资金。
● 本报记者 刘杨
连续亏损
根据招股书，东芯股份尚未盈利且母公司最近一期存在累计未弥补亏损。2017年至2019年及2020年上半年（报告期），公司实现归属于母公司扣除非经常性损益后的净利润分别为-3242.93万元、-3040.02万元、-6343.22万元和-9471万元。上交所要求公司结合行业特点分析并披露出现该等情形的原因。
公司回复称，主要原因包括产品导入周期长，成本尚不具备优势等。同时，公司产品仍处于导入期，形成规模化销售尚需一定时间。
报告期内，公司产品系列逐步丰富，逐步向工业控制领域扩展。客户结构优化，进入三星电子、海康威视等知名客户的供应链体系。随着公司产品销售规模的提升以及多渠道供货的保障，公司产品将逐步具备竞争优势。未来随着公司整体销售规模的持续增长，未来将实现盈利。
东芯股份表示，2021年-2022年，公司在通讯设备、可穿戴设备等领域的大客户将完成前期导入，产品销售将逐步放量。东芯股份预计，在毛利率、变动成本费用比例、固定成本保持相对稳定的情况下，公司营业收入达到7.5亿元左右将实现盈利。
紧跟国产化浪潮
交易所要求公司说明，报告期Fidelix和发行人业务的具体划分情况，包括产品、客户、供应商、技术等的境内外具体安排，并结合财务数据分别说明报告期境内外业务的开展和后续发展情况。
产品方面，东芯股份披露，其主要销售自主知识产权的NANDFlash、NORFlash产品，报告期早期少量销售部分DRAM、MCP产品；Fidelix主要销售DRAM、MCP、NORFlash、NANDFlash。
客户方面，东芯股份称，其与Fidelix独立开发客户，使用东芯品牌的产品销售客户主要集中在大中华地区；Fidelix沿用Fidelix品牌销售，在全球范围销售DRAM、MCP产品及使用海力士晶圆的NANDFlash产品，NORFlash产品的客户主要集中在非大中华地区。
运营方面，东芯股份称，公司目前负责集团自有知识产权的NAND、NOR和DRAM产品的晶圆采购，集团范围实现统一采购。Fidelix因合封MCP产品需采购海力士NANDFlash晶圆由其自行采购。考虑到终端客户对芯片产品不同的封装工艺要求，各自根据自身要求选择封装测试厂商。
东芯股份主要负责NANDFlash、NORFlash系列产品的研发；Fidelix主要负责DRAM、MCP系列产品的研发。
报告期内，公司销售规模逐年提升，盈利情况整体呈改善趋势。公司称，后续将不断紧跟国产化浪潮，开拓优质客户。Fidelix根据自身优势开展经营，双方在品牌、客户、供应链等方面均具备持续的经营能力。
目前存储芯片市场集中度较高，头部企业多数为外国公司。2019年，公司SLC NANDFlash、NORFlash产品和DRAM的市占率分别为1.27%、0.86%和0.54%。
公司表示，拥有自主知识产权产品销售收入由2017年的1.04亿元增长至2019年的2.68亿元，2020年有望进一步增长至5亿元左右。
布局3D NAND产品
东芯股份主要为客户提供NAND、NOR及DRAM等存储芯片。对于NANDFlash产品，公司主要聚焦平面型SLC NANDFlash的设计与研发，存储容量覆盖1Gb至8Gb，其下游应用场景覆盖5G通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块等。
目前，东芯股份尚未在3D NAND领域布局。交易所要求公司说明，目前产品未涉及2D MLC/TLC、3D NAND领域的原因。
东芯股份回复称，公司虽已有2D MLC/TLC、3D NAND相关技术储备，但目前整体规模较小。“未来将在充分考虑代工可行性、工艺稳定性、市场空间等因素的前提下，适时研发3D NANDFlash产品”。
据了解，东芯股份聚焦的SLC NAND属于中小容量NANDFlash产品，相比三星电子、美光科技、海力士等重点布局的大容量NANDFlash，中小容量存储产品市场规模有限，头部企业在中小容量产品上的投入较少，这也给了具备研发能力的本土公司切入存储芯片行业提供了机会。
招股书显示，东芯股份与中芯国际共同开发了内地第一条NANDFlash工艺产线，并将NANDFlash工艺制程推进至24nm。此次公司拟使用2.3亿元募投资金投向1xnm（约16至19nm级别）闪存产品研发及产业化项目。
