据《日经新闻》报道，日本内存大厂铠侠（Kioxia）开发约170层堆栈NAND Flash，加入了与美国产业竞争对手美光（Micron）和韩国SK Hynix的竞赛。
根据报道指出，铠侠新的NAND Flash内存是与美国合作伙伴西部数据（Western Digital）共同开发，写入数据的速度是铠侠当前最高端产品（112层堆栈）2倍以上。铠侠指出，希望能够借助这些产品，满足数据中心和智能手机相关的需求，因5G通信兴起，带来更大且更快数据传输，也造成更大容量的内存需求。但原本该领域的竞争已经加剧，包括美光和SK Hynix在铠侠之前就宣布开发出176层堆栈NAND Flash。
报道强调，原名东芝内存的铠侠，计划于正进行的国际固态电路大会，正式宣布推出新款NAND Flash，并预计最快2022年量产。铠侠表示，目前已成功通过新NAND Flash每层集成更多存储单元，代表与相同容量的内存相比，可使芯片面积缩小30%以上。较小芯片将使智能手机、服务器和其他相关产品架构设计有更大弹性。
为了提高NAND Flash的产量，铠侠与西部数据计划2021年春季，于日本的四日市开始建设1万亿日元（约94.5亿美元）新工厂扩产，且预定2022年生产第一批产品。目前铠侠在日本北部现有Kitakami工厂旁正积极收购土地，预计用于扩大产能。
（首图来源：铠侠）
