来源：金融界网
事件：据中国政府网消息，国家科技体制改革和创新体系建设领导小组第十八次会议5月14日在北京召开。会议专题讨论了面向后摩尔时代的集成电路潜在颠覆性技术。
芯片微缩工艺在传统摩尔定律范式下已经运行了半个世纪，目前即将走向尽头，这是硅的物质极限所决定的，也是全新的AIoT计算架构的要求，未来将在材料和封装上创新，具体体现在五大方向：
1、成熟工艺（八寸片、功率半导体）：IGBT和MOS管属于开关电源，是工业之米，必选消费品。随着国内新势力造车，以及中国的人口优势，在未来新能源汽车渗透率逐年提升的行业背景下，国内功率半导体公司将迎来黄金发展期。
2、第三代半导体（SiC、GaN）：我国GaN产品逐步从小批量研发、向规模化、商业化生产发展，目前GaN单晶衬底实现2-3英寸小批量产业化，4英寸已经实现样品生产。对于GaN异质外延衬底已经实现6英寸产业化，8英寸正在进行产品研发。GaN材料应用范围从LED向射频、功率器件不断扩展。
3、先进封装（SiP、SOIC、CoWoS）：先进封装之所以能够成为持续优化芯片性能和成本的关键创新路径，主要在于以下两点：1.小型化；2.高集成。先进封装技术引领封装行业发展趋势，是未来低功耗、高性能、小型化终端应用的必然选择。
4、特色工艺制造（射频）：射频前端模块（RFFEM）是终端通信的核心组成部件，介于天线和收发之间。射频前端模块主要包括开关（Switches）、功率放大器（PA）、低噪声放大器（LNA）、滤波器（Filter）/双工器（Duplexer）等。
5、计算架构（IP、ARM、RISC-V）：RISC-V具有完全开源、架构简单、易于移植、模块化设计、完整工具链支持等特点，适用于现代云计算、智能手机和小型嵌入式系统。
基于以上分析，我们建议关注以下标的：
1）成熟工艺：中芯国际、华虹半导体、华润微、闻泰科技、士兰微、扬杰科技、捷捷微电；
2）第三代半半导体：三安光电、华润微、闻泰科技；
3）先进封测：长电科技、环旭电子、深科技、通富微电、晶方科技；
4）特色工艺：比亚迪半导体、中车时代、斯达半导、卓胜微、士兰微、闻泰安世、中芯国际；
5）制造设备：北方华创、中微公司、华峰测控、精测电子、万业企业、盛美半导体、长川科技；
风险提示：中美贸易摩擦加剧；半导体下游需求不及预期；半导体产品创新不及预期；国产替代不及预期。
来源：方正证券
