ASDM3400ZB是安森德推出的中低压场效应管(MOS管)，可替代美国万代(AOS)的AO3400A和德州仪器(TI)的REF3040。
ASDM3400ZB特征
●高功率和电流处理能力
●获得无铅产品
●表面贴装封装
●提供SOT23-3封装
ASDM3400ZB主要参数
●漏源电压(Vdss)：30V
●连续漏极电流(Id)：5.8A
●功率(Pd)：1.4W
●导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：29mΩ@10V,5.8A
●阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.1V@250uA
●输入电容(Ciss@Vds)：823pF@15V
●反向传输电容(Crss@Vds)：77pF@15V
●工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
ASDM3400ZB应用
●PWM应用
●负荷开关
●电源管理
AO3400A概述
AO3400A采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)低栅极电荷和工作电压，栅极电压低至2.5V。该器件适合用作负载开关或PWM应用。标准的AO3400是无铅的(符合ROHS和索尼259的规格)。
AO3400A主要参数
●FET类型：N通道
●漏源电压（Vdss）：30V
●Vgs（最大值）：±12V
●功率耗散（最大值）：1.4W（Ta）
●电流 - 连续漏极（Id）（25°C时）：5.7A（Ta）
●驱动电压（最大Rds On，最小Rds On）：2.5V，10V
●不同Id，Vgs时的Rds On（最大值）：26.5毫欧@5.7A，10V
●不同Id时的Vgs（th）（最大值）：1.5V@250A
●不同Vgs时的栅极电荷（Qg）（最大值）：7nC@4.5V
●不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：630pF @ 15V
●工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
●安装类型：表面贴装型
●封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
REF3040概述
REF3040是采用微型3引脚SOT-23封装的精密、低功耗、低压降电压基准产品系列。REF3040提供出色的温漂和初始精度，具有42μA（典型值）的静态电流。低功耗和相对较高的精度使得REF3040非常适合环路供电式工业应用，如压力和温度变送器应用中，低功耗是一个关键问题。REF3040非常便于用在本安和防爆应用中，因为它无需负载电容器即可实现稳定。REF3040的额定工业温度范围为–40°C至+125°C。在零负载条件下，REF3040由1mV 输出电压范围的电源供电。工程师们可在便携式和电池供电类应用中充分发挥REF3040系列器件的低压降、小尺寸和低功耗特性应用中的需求。
REF3040特性
●微型封装：SOT-23-3
●低压降：1mV
●高输出电流：25mA
●高精度：0.2%
●低IQ：42A（典型值）
●出色的额定温漂性能：
0°C至70°C范围内为50ppm/°C（最大值）
–40°C至+125°C范围内为75ppm/°C（最大值）
REF3040应用
●温度和压力发送器
●便携式、电池供电类设备
●数据采集系统
●医疗设备
●手持测试设备
注：如涉及作品版权问题，请联系删除。
