天岳先进：临港30万片/年SiC衬底项目成功封顶

集微网消息，4月13日，天岳先进在投资者互动平台表示，衬底直径作为衡量晶体制备水平的重要指标，也是如今降低下游芯片制备成本的重要途径，作为第三代半导体的核心材料，碳化硅衬底行业未来必然向着更大尺寸的方向发展。

据悉，天岳先进目前正在开展8英寸产品的研发，并取得突破性成果。天岳先进表示，目前，6英寸导电性碳化硅衬底产销量将持续增加，在临港工厂项目实现量产前公司尚不具备大批量导电型衬底销售的产能安排。

截至目前，公司位于上海临港的上海天岳碳化硅半导体材料项目已经成功封顶，项目将主要用于提升导电型衬底产能，项目预计将于2022年三季度实现首批量产，临港项目全部达产后将新增碳化硅衬底产能约30万片/年，为营收的持续增长和未来的长期发展增添新的动能。

资料显示，天岳先进主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。目前，天岳先进主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。经过十余年的技术发展，天岳先进已掌握涵盖了设备设计、热场设计、粉料合成、晶体生长、衬底加工等环节的核心技术，自主研发了不同尺寸半绝缘型及导电型碳化硅衬底制备技术。(校对/Xiao wei)