国内首款15V驱动SiCMOSFET产品问世！

日前，国内SiC器件头部企业清纯半导体发布国内首款15V驱动的1200V SiC MOSFET器件平台产品，填补了国内15V驱动SiC MOSFET产品空白。

Source：拍信网

 

清纯半导体成立于2021年3月，并于12月完成由高瓴创投领投的数亿元首轮融资。虽是SiC领域的初创企业，但清纯半导体拥有国际领先水平的SiC器件设计及工艺团队，核心团队有着20年以上的SiC工艺和器件从业经验，已研发和产业化多代SiC功率器件。

 

凭借着在SiC器件领域的丰厚积累，清纯半导体成立一年多以来，已突破国产SiC功率器件及大规模制造的瓶颈问题，并相继开发出自主知识产权的SiC二极管和SiC MOSFET器件产品，产品先后通过车规级可靠性测试。如今，其在SiC MOSFET领域又获得了一大突破。

 

据介绍，清纯半导体发布的15V驱动的SiC MOSFET具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗等优势，产品综合损耗更小，效率更高。

 

现阶段，SiC MOSFET器件有18V驱动和15V驱动两种类型，后者开发难度更大，对产品设计水平和制造工艺有着更高的要求。目前国际主流厂商已开始大力推广15V驱动的SiC MOSFET，而国内仅有部分厂商能够少量提供18V驱动的SiC MOSFET产品，国内外技术之差由此可见一斑。

 

在此背景下，清纯半导体成功推出国内首款15V驱动SiC MOSFET产品，这对国内SiC行业的重要性和意义显而易见，意味着国内外技术差距正在逐步缩小，SiC器件国产化替代进程加速；而对其自身发展而言，这也是具有里程碑意义的重要一步。

 

另外，据化合物半导体市场了解，电动汽车整车架构正在朝向800V以上高压方向发展，国内外汽车品牌也开始导入更高压的SiC MOSFET器件，并相继推出高端车型产品。

 

而清纯半导体一直致力于开发和产业化1200V SiC器件，现已完成1200V全系列 SiC功率器件的产品化，可提供1200V 15A、20A、30A、40A等规格的SiC SBD二极管及1200V 75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大电流车载芯片等规格的SiC MOSFET，适用于电动汽车、充电桩、光伏逆变、工业电源、UPS、通信电源等场景。

 

据悉，清纯半导体首款1200V 75mΩ SiC MOSFET已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。