英特尔扩建奥勒冈D1X厂 加速IDM 2.0追赶台积、三星

英特尔(Intel)宣布启动其位於美国奥勒冈州D1X厂斥资30亿美元扩建项目。这项扩建命名为DX1 Mod3，将为D1X厂增加27万平方英尺洁净室空间。英特尔解释，新增产能将用於协助开发下一代矽制程技术，D1X Mod3意在加速实现英特尔朝Intel 20A及Intel 18A产品规划蓝图目标、以及RibbonFET和PowerVia技术的演进。

英特尔CEOPat Gelsinger指出，新工厂空间将强化英特尔提供支持英特尔进取IDM 2.0战略所需的加速制程产品规划蓝图。Gelsinger称奥勒冈州长期以来一直是英特尔全球半导体研发中心，并称这座园区如同摩尔(Gordon Moore)，在推进半导体产业方面发挥如此重要的角色。

根据彭博(Bloomberg)以及Tom's Hardware报导，英特尔资深副总裁Sanjay Natarajan表示，扩建27万平方英尺、比D1X厂再增加20%面积，展现英特尔愿意预先投资，加速采用更先进生产技术。D1X实际上是一座巨大的实验室，如今更有能力同时开发多种制造方法，并将其转移到英特尔网络内的量产对应上。

面对台积电、三星电子(Samsung Electronics)的制程领先，带动超微(AMD)、NVIDIA等竞争对手抢食英特尔市占率，挤压英特尔获利及成长空间，如今奥勒冈D1X厂区即为正在引领Gelsinger扭转这一趋势的计划。英特尔目标是在4年内演进5个节点，赶上并超越台积电、三星等亚洲晶圆制造对手。

D1X位於美国西北部奥勒冈州大城波特兰以西的Hillsboro地区。英特尔同时将其占地500英亩、部署约1.4万名员工的Ronler Acres工厂，重新命名为「摩尔园区」(Gordon Moore Park)，纪念创造摩尔定律(Moore’s Law)的英特尔共同创始人摩尔。这座园区成立已有25年。

责任编辑：张兴民