SiC需求达437万片；又有2000万订单……

加入碳化硅/氮化镓大佬群，请加VX：hangjiashuo666行家说“一周要闻”又来了！碳化硅方面：三安认为2025年碳化硅需求高达437万片；科友碳化硅项目7月将投产；Aehr 收到2230万碳化硅订单；恩智浦、日立、国星、安森美、Microchip也有新动作......而氮化镓领域更是新品迭出，意法半导体、英诺赛科等龙头企业纷纷推出GaN新品，详细内容请接着往下看。碳化硅三安：2025年6寸碳化硅晶圆需求达437万片近日，三安光电董事长特别助理、北京三安光电有限公司总经理陈昭亮演讲。陈昭亮指出，2025年全球碳化硅衬底与晶圆的情况将出现供不应求的局面，2025年6寸碳化硅晶圆需求在饱受与乐观情形下分别为219和437万片。根据Yole预测，车用碳化硅需求占全行业的60%，其他代表性行业，光伏、储能、充电基建、电源、轨交等对碳化硅的需求占40%，由此推算，2025全球需要6寸碳化硅晶圆保守估计365万片。碳化硅产能缺口将达到123万片，在乐观情形下达到的728万片，碳化硅产能的缺口达到468万片，全球碳化硅衬底与晶圆将出现供不应求的局面。科友碳化硅项目7月将投产3月26日，位于哈尔滨新区江北一体发展区的科友半导体产学研聚集区项目复工。据悉，该项目占地4.5万平方米，总投资10亿元，将打造成集技术开发、装备设计、衬底制造等在内的全产业链科技成果转化及产业化应用研究聚集区。
其一期在建的生产车间大楼于去年10月封顶，目前正在进行二次结构砌筑。预计生产车间、办公楼及展示厅7月份全部交工验收，正式投产。 恩智浦、日立合作共同加速SiC在EV中的应用3月21日，恩智浦官网发布公告称，他们与日立能源合作，加速在电动汽车中采用碳化硅 (SiC) 功率半导体模块。该项目旨在为由恩智浦 GD3160 隔离式高压栅极驱动器和日立能源SiC MOSFET 功率模块组成的动力总成逆变器提供更高效、可靠和功能安全的基于 SiC MOSFET 的解决方案。 国星光电：SiC功率分立器件已完成多个试产订单近日，国星光电发布年度业绩报告，报告期内推出了SiC功率分立器件、SiC功率模块、GaN器件3大系列产品。
其中，SiC功率模块及GaN器件新品实验线已投入生产运作，可迅速响应对接客户个性化的需求；SiC功率分立器件产品产线已投入使用，并完成了多个合作商的试产订单。同时，他们也积极布局三代半上游外延芯片领域，子公司国星半导体现已具备硅基GaN芯片相关技术储备，并积极与高校和研究所展开GaN功率器件等的研发工作，并参与了两项第三代半导体方向的省级研发项目。Aehr 收到2230万碳化硅订单3月22日，Aehr Test Systems宣布，其领先的碳化硅已收到超过 350 万美元（2230万人民币）的订单WaferPak™ 全晶圆接触器的测试和老化客户，用于多种新的碳化硅器件设计以及多个碳化硅器件的批量生产能力订单，这些器件现在正在加速生产以满足电动汽车 (EV) 半导体的批量生产能力。Aehr 的 FOX-XP 系统和 WaferPaks 不仅支持目前大量出货的 6 英寸（150 毫米）直径碳化硅晶圆，而且还支持未来的 8 英寸（200 毫米）晶圆。英飞凌推出全新 CoolSiC MOSFET 近日，英飞凌宣布在其现有的高压碳化硅 (SiC) MOSFET CoolSic 系列中增加一个650 V 系列。该产品建立在其先进的SiC 沟槽技术之上。与上一代硅 (Si) 半导体相比，这些 650 V 系列 MOSFET 的反向恢复电荷 (Qrr) 和漏源电荷 (Qoss) 降低了 80%，即使在较高电流下也能实现出色的开关性能。这些降低的开关损耗允许高频、高效操作，从而能够使用更小的滤波组件，并最终提高功率密度。  安森美利用SiC/GaN推出大功率图腾柱PFC控制器近日，安森美推出了全新的大功率图腾柱PFC控制器，这是一款利用图腾柱PFC技术实现高效电源的产品。除了图腾柱 PFC 控制器，Onsemi 还为图腾柱的评估板提供SiC MOSFET 和 GaN HEMT。使用 Si-MOSFET 用于交流线路同步整流器；利用 GaN HEMT 单元用于高速开关。图腾柱PFCMicrochip：推出3.3 kV碳化硅 (SiC) 功率器件3月21日，Microchip宣布扩展其 SiC 产品组合，推出业界最低导通电阻 [RDS(on)] 3.3 kV SiC MOSFET 和最高额定电流 SiC SBD。Microchip 分立产品业务部副总裁 Leon Gross 表示：我们新的3.3 kV SiC 功率产品系列使客户能够轻松、快速、自信地转向高压 SiC，并受益于这种令人兴奋的技术相对于基于硅设计的诸多优势。”氮化镓ROHM：计划量产8V栅极耐压GaN晶体管2月23日，罗姆宣布计划量产“GNE1040TB”，该产品为氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT），已将栅极耐压（栅极-源极额定电压）提高到 8V，将用于包括数据中心和基站在内的各种IoT通信设备的电源电路。  意法半导体推出50W GaN转换器3月24日，意法半导体推出的全新VIPerGaN50简化了高达 50 W 的单开关反激式转换器的构建，并集成了 650 V 氮化镓 (GaN) 功率晶体管，可实现卓越的能效和小型化。VIPerGaN50 采用单开关拓扑和高集成度，包括内置电流感应和保护电路，采用紧凑且低成本的 5 x 6 毫米封装。集成 GaN 晶体管的速度允许通过小型轻量反激变压器实现高开关频率。设计先进的高效开关模式电源 (SMPS) 所需的额外外部组件最少。它还可帮助设计人员利用 GaN 宽带隙技术来满足日益严格的以全球节能和净零碳排放为目标的生态设计规范。它适用于消费类和工业应用，例如电源适配器、USB-PD 充电器以及家用电器、空调、LED 照明设备和智能仪表的电源。英诺赛科推出140W GaN电源设计3月24日，英诺赛科宣布推出一款新的超高密度 140W 电源演示，该演示使用该公司的高电压和低电压 GaN HEMT 器件可实现超过 95% 的效率。CGD推出首款氮化镓系列产品3月20日至24日，无晶圆半导体公司 Cambridge GaN Devices Ltd (CGD) 在应用电力电子会议 (APEC)上首次亮相，推出其首个能够降低功耗的产品组合损失高达 50%的ICeGaN 650V H1系列产品，该系列包括四款采用 GaN 技术的 650V 产品。Mission Microwave：确认为SES提供GaN SSPAMission Microwave Technologies是一家制造基于氮化镓 (GaN) 的固态功率放大器 (SSPA) 的制造商。近日，该公司已确认为SES O3b mPOWER网关提供的高功率GaN SSPA ，该技术将会应用到 O3b mPOWER 系统中。欧洲正在开发65W入墙式氮化镓插座3月21日，据外媒报道，Silanna Semiconductor 正与荷兰智能插座专家 Smarter Living 合作开发世界上最小的 65W 入墙式氮化镓 (GaN) 快速充电器。日前，该插座已由第三方测试实验室 DEKRA 根据最新的 IEC 和 EN 测试要求进行测试，以证明完全符合当前的低电压和 EMC 指令。插播：参编《2022碳化硅（SiC）产业调研白皮书》，点文末“阅读原文”！其他人都在看：




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