解决次临界摆幅瓶颈 前国研院院长组梦幻团队

科技部日前举行A时代半导体计划成果交流展示会，相关团队数量增为17队。其中甚获前科技部长陈良基重用的成功大学微电子工程研究所特聘教授王永和也组队加入A时代半导体研发行列，让外界眼睛为之一亮。王永和所组成的团队，未来几年将挑战应用於高效能运算之低温CMOS / SRAM制作与模拟计划。

王永和与陈良基均为成功大学电机博士，目前王永和也担任「台积电─成大联合研发中心」主任，其邀请该中心CEO、成功大学微电子工程研究所教授江孟学共同主持这项极具挑战的研发计划。王永和也邀请国家实验研究院台湾半导体研究中心研究员李耀仁参与这项工作。

根据科技部数据，江孟学曾是美国加州大学柏克莱分校访问学者，近几年主持科技部的计划包括「高密度无选择器六方氮化硼电阻式存储器」、「堆叠式场校应晶体管的静态随机存取存储器设计与工具开发」、「使用电阻式随机存取存储器的低功耗类神经存储器与模型开发」等。

此外成功大学电机系教授陈志方，是美国加州大学柏克莱分校电机博士，早年曾台积电当主任工程师。而高国兴则是比利时鲁汶大学电机博士，在IMEC做微电子研究，之後返国在国研院国网中心工作，并获延揽合聘进入成大电机系任教。

至於担任共同主持人的成功大学微电子工程研究所副教授卢达生，亦是加州大学柏克莱分校博士，曾担任IBM Watson Research Lab科学家，2015年获延揽回台湾成大担任助理教授。王永和所组成的计划团队，均出身於与先进半导体技术有渊源的名校，而且都有丰富的半导体技术研发实战经验，因此备受各界期待。

虽然王永和过去曾担任国研院院长等行政职，但尖端材料与元件实验室相关研究工作从未中断。研究方向包括：高电子移动率晶体晶体管(HEMT)、电阻式存储器、三维阵列、金氧半晶体管，以及应用於下一代通讯系统的射频与微波IC电路。

王永和指出，该计划团未来将建构一套完整的系统对低温MOS元件进行研究，包含制备先进元件，以进行低温元件特性验证与操作；进行低温元件DC & AC 电性模拟与量测平台建立；和进行参数萃取及电路效能与可靠度分析。

根据成大介绍，王永和的研究领域为半导体元件及物理、化合物半导体工程、微波集成电路设计与研制、光电元件及物理，国内外专利超过100件。曾获国科会「杰出研究奖」、国内电机工程学会「杰出电机工程教授奖」、成功大学「李国鼎科技讲座：金质奖章」及国内工程师学会「杰出工程教授奖」等荣誉。

责任编辑：朱原弘