项目封顶、数亿融资；天岳、比亚迪等最新动向

又到周五，行家说“一周要闻”又来了！
本周碳化硅领域继续火热：天岳上海碳化硅项目封顶；枕芯融资近亿元；比亚迪碳化硅项目也有新进展......而氮化镓方面，立昂微的氮化镓项目即将开工；GaN Systems与三星合作；EPC、Transphorm也有新动态。碳化硅天岳上海碳化硅项目封顶3月16日，中建一局官网发布消息称，公司承建的上海天岳碳化硅半导体材料项目封顶。据悉，该项目位于上海市浦东新区，总建筑面积约9.5万平方米，主要包括生产厂房、动力厂房、氢气站、特气站、化学品库以及110kv变电站等建（构）筑物。项目建成后主要用于生产6英寸导电型碳化硅半导体材料，产品应用于新能源汽车、轨道交通以及大功率输电变电等领域。忱芯获得近亿元融资3月16日，碳化硅企业忱
芯科技（UniSiC）于近日宣布完成Pre-A轮近亿元融资，本轮融资由东方嘉富领投，产业方投资者跟投，老股东原子创投追加投资。本轮融资资金将主要用于新产品研发和量产准备。宁波大力推进比亚迪碳化硅项目开工宁波经济技术开发区传媒中心3月16日发布消息称，为全力推动数字经济发展，宁波开发区数字经济发展局将积极谋划引进一批技术领先、市场竞争力强的数字经济项目，其中包括比亚迪碳化硅半导体项目。 中美晶：明年6吋SiC衬底月量产达1万片据3月17日台媒报道，中美晶董事长徐秀兰表示，旗下环球晶近来积极扩充第三代半导体产能，且由于现今量产片数稳定成长，此次也首度揭露实际量产片数，以换算成6吋计算，预计明年月产能将较今年翻倍，达1万片。
徐秀兰指出，目前SiC 衬底月产能约2000 片，由于现今客户订单相当强劲，今年将持续扩充产能，估达5000 片，并期望明年底前冲上1 万片，等同连续两年成长幅度均超过1 倍以上，满足未来电动车等应用需求。美浦森半导体完成A轮融资3月15日，专注于碳化硅、硅功率半导体企业深圳市美浦森半导体有限公司（以下简称“美浦森”）完成近亿元A轮融资，本轮融资由深圳创东方领投，上市公司和而泰股份跟投。本轮资金将用于包含SJ-MOS、SGT-MOS、SiC器件产品线、IGBT等新产品的扩充和先进工艺研发、吸引高精端人才、并继续投入“美浦森测试及应用实验室”。瑞能入选江西省制造业单项冠军企业名单3月9日，江西省工信厅发布2021年江西省制造业单项冠军企业名单，瑞能半导体科技股份有限公司等14家企业入选。广州强芯工程：布局发展宽禁带半导体3月17日，广州市工业和信息化局印发《广州市半导体与集成电路产业发展行动计划（2022-2024年）》的通知。该项目计划显示，广州将布局4-6英寸碳化硅衬底片、外延片生产线，加速8英寸项目研发及产业化，建设6-8英寸及以上碳化硅芯片生产线，支持建设硅基/碳化硅基氮化镓功率/射频器件生产线，实现面向雷达、基站等应用的射频器件研发和量产。氮化镓立昂微：6万片/年氮化镓项目将进入开工阶段3月15日，杭州立昂微电子股份有限公司通过电话会议交流形式接待了机构调研。其中表示，公司产品碳化硅基氮化镓计划产能为6万片/月，目前该规划布局已经得到相关部门审批，将进入开工建设阶段。 镓特氮化镓单晶入选安徽首批新材料名单3月11日，安徽省经信厅公布2022年安徽省首批次新材料名单，镓特半导体科技（铜陵）有限公司生产的“氮化镓单晶衬底（晶圆片）”产品凭借前瞻性、创新性、突破性优势成功入选，同时镓特半导体公司也成为本年度安徽省范围内唯一获此殊荣的第三代半导体企业。特半导体公司将以此为契机，完善升级现有技术工艺，稳步提升产能产量，积极拓展国内外市场，持续提品质、增品种、强品牌，目标打造成为国内规模最大、技术最为成熟的氮化镓单晶衬底生产基地。GaN Systems：为三星提供分立式 GaN 解决方案3月14日，GaN Systems官网宣布，其高效半导体产品已被选中为旗舰三星 Galaxy S22+ 和 Ultra 智能手机供电，45W 充电器实现了 GaN 的效率和快速充电承诺。这款最新一代充电器的功率几乎是上一代的两倍，同时支持超快速充电。GaN Systems 首席执行官 Jim Witham 表示：“三星为其旗舰智能手机选择了我们领先的分立式解决方案，进一步强化了高端消费设备与 GaN 出色的效率和功率之间的紧密联系。” “三星延续了领先公司围绕我们无与伦比的离散产品设计顶级消费产品的趋势。随着 GaN 继续在功率转换应用中无处不在，我们期待继续让客户和最终用户感到高兴和惊奇。”  EPC扩展其抗辐射GaN产品系列3月15日，EPC官网发布公告，宣布推出 EPC7019 抗辐射 eGaN FET，这些器件采用芯片级封装，与商用 eGaN FET 和 IC 系列相同，EPC Space将提供打包版本。
该器件的品质因数 (R DS(on) x Q G ) 是替代抗辐射硬硅解决方案的 20 倍，而且尺寸要小 20 倍。凭借更高的击穿强度、更低的栅极电荷、更低的开关损耗、更好的导热性和更低的导通电阻，基于 GaN 的功率器件显着优于基于硅的器件，并且能够实现更高的开关频率，从而带来更高的功率密度、更高的效率等用于关键星载任务的紧凑和重量更轻的电路。最后，GaN 器件支持比硅解决方案更高的总辐射水平和 SEE LET 水平。EPC7019 可用于工程样品，并将在 2022 年 10 月完全符合批量出货要求。Transphorm、TDK：宣布扩展 AC-DC GaN 电源模块系列3月15日，电源制造商TDK集团公司宣布扩展其基于 GaN 的PFH500F 产品线：PFH500F-12 和 PFH500F-48 是 TDK 500 瓦 AC-DC 电源系列中的第二款和第三款模块。PFH500F 系列使用 Transphorm 的 72 mΩ、8x8 PQFN GaN FET ( TP65H070LDG )。这些功率晶体管的高功率密度使 TDK 能够通过薄基板冷却 GaN 电源。Arralis： 量产K波段表贴大功率氮化镓放大器近日，Arralis宣布，其创新的 K 波段表面贴装 10 W 大功率GaN放大器现已全面投产并可订购。
该氮化镓放大器的高功率使其非常适合卫星通信、兼容收发器、雷达系统和移动通信，提供高效可靠的解决方案。据介绍，该三级放大器采用符合航天要求的 0.25 μm GaN on SiC 工艺制造，并在 25 V 的漏极电压下偏置。

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