国产芯片共同努力，在多个行业取得突破

由于华为的遭遇，芯片国产化受到高度关注，而经过这两年时间的努力，国产芯片在多个行业都已取得了突破，推动了国产芯片自主研发，打破了外国在芯片行业的垄断优势。

首先是在射频芯片方面，中国已有多家芯片企业如富满电子等研发5G射频芯片并已进入量产阶段，5G射频芯片是国产5G手机的关键芯片之一，此前该类芯片主要由美国和日本所垄断，正是因为这种原因导致华为推出的P50 Pro在采用了集成5G基带的麒麟9000后却无法支持5G。

在电源芯片方面，华为早已实现电源芯片自主研发，在它的手机上采用了自主研发的电源芯片；去年以来国产手机四强中的小米、OPPO、vivo等也已研发出ISP芯片，以自研ISP芯片取代外国芯片，增强了拍照能力；小米、OPPO还在快充芯片方面取得了突破。

在手机芯片方面，华为由于众所周知的原因无法生产之后，国产手机芯片另一代表企业紫光展锐在快速崛起，早前counterpoint公布的数据显示紫光展锐在2021年的出货量取得数倍增长，已取得一成多市场份额，由此超越三星位居全球手机芯片市场第四名。

近期在传出Intel、三星、台积电等联合成立“小芯片联盟”，将推出一种chiplet芯片互联标准Ucle；这方面其实中国早已有准备，已制定chiplet标准草案，预计年底前推出，此举对于中国芯片行业更是具有积极意义。

chiplet标准其实早在数年前就已开始讨论，主要是考虑到芯片制造工艺的研发难度越来越高，如今的芯片制造工艺即将量产3纳米，即将达到极限，而且越先进的工艺成本就越高，因此芯片行业探讨在芯片封装技术方面进行创新，以成熟工艺提升性能，chiplet标准正是由此而来。

此前chiplet标准仅仅是探讨，但是今年苹果推出的M1 ultra和台积电与英国芯片企业合作采用3D WOW技术将chiplet标准变成现实。苹果的M1 ultra是将两颗M1芯片已特殊的方式连接在一起，性能得到大幅提升，击败了Intel的12代i9处理器；台积电为英国一家AI芯片公司Graphcore以7纳米生产的一款IPU产品Bow，以3D WOW封装技术封装却提升了40％的性能，性能提升幅度比5纳米工艺还要高。

中国推出chiplet标准可以利用现有的成熟工艺大幅提升芯片性能，其实这种方式在去年曾被华为提出，当时传华为的双芯堆叠技术可以国内投产的14纳米工艺生产芯片进行堆叠后将性能提升到接近7纳米，如此就突破了当下受限于EUV光刻机而无法投产7纳米及更先进工艺的问题。

如今苹果和台积电的做法都验证了芯片堆叠技术，并且Intel、三星、台积电等将成立“小芯片联盟”进一步推动芯片封装技术，无疑证明了芯片堆叠技术的可行性，这将有利于中国的芯片企业利用现有的芯片工艺生产出性能更先进的芯片，打破芯片制造工艺受限的问题。

可以说这两年发生的事情，促使中国芯片行业想方设法积极利用现有的技术打破外国芯片的技术垄断，充分发挥了国内芯片的积极性，可以预期未来中国芯片行业将在更多芯片行业突破，取得更大的进步。

原文标题 : 国产芯片共同努力，在多个行业取得突破