Wolfspeed又采购设备，什么动作？

去年10月，Wolfspeed说要到2024年才会转向生产8英寸碳化硅器件，但昨天他们已采购8吋生产设备，似乎要加快进度了。

购买外延设备

生产8吋碳化硅器件

2019年5月，Wolfspeed宣布投资10亿美元，在美国北卡罗莱纳州建造8吋SiC碳化硅超级工厂，产能扩大30倍。

2022年初，他们宣布工厂投产。据Wolfspeed首席技术官John Palmour介绍，"2022年新厂会开始在6英寸衬底上生产设备，2024年将转向生产8英寸器件。"但是据外媒3月14日消息，Wolfspeed正在向爱思强购买碳化硅外延工具，用于制造8吋的碳化硅MOSFET和肖特基二极管功率器件。Wolfspeed首席执行官 Gregg Lowe表示，这次与爱思强合作，是为了“在世界上第一个8吋碳化硅工厂增加产量”。3月15日，Wolf Speed组织投资者交流会消息，前10个季度，该公司总计取得了60亿美元的新品开发方案订单，最近一个季度获得了16亿美元的订单，远超之前预计的每季度5亿美元。据介绍，爱思强为Wolfspeed供应的是新的行星式反应器，配置为6x200mm，与现有的行星系统相比，每批的总外延面积将显著增加。根据Wolfspeed最新资料，从6吋转向8吋晶圆，碳化硅芯片（32mm²）数量有望从448颗增加到845颗，增加了75%。

8吋碳化硅性能如何？

除了购买外延设备外，Wolfspeed的8吋线的其他生产设备也已到位。 2021年9月,应用材料公司宣布推出用于8吋碳化硅晶圆生产的CMP和热离子注入系统。据估计，与机械研磨的 SiC 晶圆相比，应用材料的CMP新系统的成品晶圆表面粗糙度降低了50倍，与批量CMP处理系统相比，粗糙度降低了3倍;而它的热注入技术，与室温下的注入相比，可将碳化硅电阻率降低40倍以上。据Palmour介绍，他们的8英寸SiC衬底的基面和螺纹螺钉密度分别为684 cm-²和 289 cm-²。化学机械抛光后，表面质量得到改善，有66个缺陷。碳化硅外延可以实现略高于1%的厚度和掺杂均匀性。

8吋碳化硅价格如何？

根据GTAT公司的预估，相对于6吋晶圆平台，预计8吋衬底的引入将使整体碳化硅器件成本降低20-35%。
而且，6吋SiC晶体厚度为350微米，而最初投放市场的8吋SiC衬底厚度为500微米。尽管晶体成本会略微上涨，但是由于更厚的晶体可以切除更多的衬底片，预计也有望进一步降低器件生产成本。该公司正在努力将8英寸衬底的成本降低至6英寸水平。

盘点全球8吋碳化硅量产时间表

据《2021第三代半导体调研白皮书》，目前已正式对外公布8吋碳化硅技术的企业，除了Wolfspeed，还有：罗姆、II-VI、安森美（收购GTAT）,以及中国的烁科晶体，英飞凌也建了8吋碳化硅晶圆线。量产时间方面，Wolfspeed是今年年初，II-VI和意法半导体将在2024年量产8英寸SiC衬底，罗姆、英飞凌等将在2025年量产。此外，今年2月，日本也宣布投资43亿研发8吋碳化硅衬底和mosfet，罗姆、电装、东芝、昭和电工、Mipox和中央玻璃等企业参与，研发周期是2021年-2030年。

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