韩媒：三星今年起扩大成熟制程产能 以应对CIS等需求增长

这是三星电子首次提出在成熟制程上扩大产能的可能性。该公司多年来一直在扩大系统半导体领域的投资。其预计今年将加大投资，扩大成熟制程产能。值得一提的是，其设备投资在2021年创下了历史最高纪录(48.2240万亿韩元)，比2020年同期增加了25.3%。

此前，三星电子一直致力于开发先进工艺技术，而不是成熟工艺。但是，随着半导体产业的繁荣，成熟工艺市场发展到前所未有的程度，三星电子正在积极扩大相关投资，以应对需求的扩大。

以台积电为例，其传统节点(16nm及以上成熟制程)的份额占其2021年收入的50%。三星电子在先进10nm及以下工艺领域的全球市场占有率约为40%。但在成熟过程领域的份额要小得多。

三星电子计划，到2026年为止，确保最多300家代工客户，并在2017年的基础上增加3倍的产量。

三星电子也将继续推出通过改进成熟工艺、提高性能和成本竞争力的衍生工艺技术。2021年10月，三星电子宣布，将在现有的28nm平面结构工艺上生产的图像传感器和移动显示驱动芯片（DDI）上，采用新的基于FinFET结构的17nm工艺，提高生产效率。

先进制程方面，三星电子于2021年4月批量生产了4nm级产品，缩小了与台积电的技术差距。并称，“计划通过确保海外贸易线路，加强对高性能计算（HPC）和汽车市场等高增长市场的响应，扩大业务机会。”

三星电子表示，虽然很难获得理想的产量，但将顺利进行3nm以下制程的批量生产。其已经成功开发了世界上第一个使用GAA结构的3nm工艺，预计将在2022年上半年推出该制程芯片，而基于第三代GAA结构的2nm工艺将于2025年开始量产。