恭喜：清华大学！突破1nm！

超大规模晶体管对于下一代电子设备的开发非常有吸引力。尽管已经报道了原子级薄的二硫化钼 (MoS2) 晶体管，但栅极长度低于 1nm 器件的制造一直具有挑战性。

来自清华大学田禾、任天令团队的研究人员使用石墨烯层的边缘作为栅电极展示了具有原子级薄沟道和小于1 nm 物理栅极长度的侧壁 MoS2 晶体管。该方法使用通过化学气相沉积（CVD）生长的大面积石墨烯和 MoS2 薄膜在 2 英寸晶圆上制造侧壁晶体管。这些器件具有高达 1.02×10^5 的开/关比和低至117 mV dec^–1 的亚阈值摆幅值。仿真结果表明，MoS2 侧壁有效沟道长度在 On 状态下接近 0.34 nm，在 Off 状态下接近 4.54 nm。这项工作可以促进摩尔定律，即下一代电子产品晶体管的按比例缩小。这项成果以题为“Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths”发表在最新一期《Nature》期刊上。

论文链接：

https://www.nature.com/articles/s41586-021-04338-w