卓胜微：5G射频芯片为自主研发 目前暂未受到美国限制直接影响

集微网消息 3月9日，针对“公司生产的5G射频芯片，是否含有美国技术，是否有受美国限制”的提问，卓胜微在互动平台回复称，公司产品均为自主研发，目前暂未受到直接影响。公司将密切关注并评估国际相关政策及市场的进一步变化，积极做好准备，提高抗风险能力。

与此同时，卓胜微称，公司芯卓半导体产业化建设项目仍处于建设阶段，公司正按规划进度推动芯卓半导体项目顺利实施。

据了解，卓胜微通过前期立足于射频分立器件和接收端模组市场，进而再布局发射端射频模组产品，不断拓展产品线，最终逐步实现射频前端产品的全面布局。5G通信技术带动射频前端市场需求的快速增长，卓胜微产品持续渗透。4G到5G，射频向模组化、高集成化发展，在保持射频分立器件竞争优势的同时，卓胜微持续推进射频模组产品的市场化进程。

卓胜微指出，应用于5G NR频段的L-PAMiF主要由射频功率放大器、射频开关、低噪声放大器、滤波器所集成，该产品是兼具信号接收和发射功能的高集成度模组，集成的射频器件类型较多，其设计难度和工艺复杂度更大，性能要求更高。其中功率放大 器采用的是GaAs工艺，具有较高的输出功率和效率、较好的射频特性；滤波器采用的是IPD工艺，具有设计堆叠体积小、调试灵活、成本低、产能充足等多重优势。

卓胜微表示，公司在射频领域具有丰富的技术储备，已在射频开关、射频低噪声放大器、射频滤波器、WiFi蓝牙产品等领域形成了多项发明专利和实用新型专利，这些专利是公司产品竞争优势的有力保障，同时也为公司保持产品创新奠定了技术基础。（校对/Lee）