报告丨智慧芽：《第三代半导体GaN技术洞察报告》

前言：

氮化镓（GaN）可同时涵盖射频和功率领域，特别是在高功率和高频率领域应用效果特别出色，与其他化合物半导体材料相比，具有较高投资价值。

以氮化镓为材料的功率半导体器件可广泛应用 于工业、通信、计算机、消费电子、汽车电子、 航空航天、国防军工等传统产业领域。

三代半导体材料适合诸多场景的使用，并且在这些场景中，中国几乎都是全球单一的最大市场国。

其中，SiC功率器件因其耐高压，耐高温，低能耗，小型化的特点，可以广泛的应用于电动/混动汽车、充电桩/充电站、高铁轨交、光伏逆变器中。

GaN功率器件凭其高频率、低损耗、低成本的特点，可以广泛使用于智能终端快充、数据中心、车规级充电场景中。

GaN微波器件因其高频率、高功率、高效率可以广泛地应用于宏基站/小微基站、智能终端、军用雷达、卫星通讯等领域。

近年来随着工艺的进步及下游市场的拉动，三代半导体已经初步具备产业化的基础，价格亦达到了量产“甜蜜点”。

全球范围内，衬底和外延由4寸向6寸线转移，Cree已有8寸样品出货，未来5年将达到量产标准。

三代半导体器件价格近年来持续下降，2023-2024年，SiC模块价格有望达到硅基器件价格的3倍以内，已具备产能快速爆发的必要条件。

从技术角度全面洞察分析了氮化镓这一产业的诞生、产业发展和未来突破。智慧芽数据显示，全球在氮化镓产业已申请16万多件专利，有效专利6万多件。

从产业发展来看，全球氮化镓产业规模呈现爆发式增长。据分析机构Yole研究显示，在氮化镓功率器件方面，2020年的整体市场规模为0.46亿美元，受消费类电子、电信及数据通信、电动汽车应用的驱动，预计到2026年增长至11亿美元，复合年均增长率为70%。

值得一提的是，电动汽车领域的年复合增长率高达185%。在氮化镓射频器件方面，2020年的整体市场规模为8.91亿美元，预计到2026年增长至24亿美元，复合年均增长率为18%。

从产业链看，国内氮化镓产业链已基本形成，产业结构相对聚焦中游，中国企业纷纷入场。

绿色能源需求迫在眉睫，第三代半导体助力 “碳达峰 、碳中和 ”目标实现

第三代半导体有望成为绿色经济的中流砥柱，助力光伏、风电，直流特高压输电，新能源汽车、消费电源等领域电能高效转换，推动能源绿色低碳发展。

以下是《第三代半导体GaN技术洞察报告》部分内容：