DDR4现货价带头回神 记忆体年後价格酝酿波动

DRAM价格从2021年12月起明显回升后，尽管农历新年假期即将报到，终端市场观望气氛浓厚，但综观2022年1月现货价格，DRAM及NAND Flash均呈现止跌回涨的表现。业界预期农历年后的价格走势仍可望延续一波调涨，但产业供需及市场变量难料，在首季合约价跌幅收敛下，第2季合约价走势更显得扑朔迷离。

存储器模块业者指出，在1月即将结束进入农历年节之际，2022年第1季合约价仍未完全敲定，显见市场对存储器价格看法充满不确定。据悉，先前有业者在美国市场提早谈定主流规格DDR4 8GB模块价格，但当时价格落在29美元以下，原厂业务反被总公司认为价格太低，希望提高至29.5美元左右。显见上游存储器原厂对于第1季价格并未设定太多让步空间，持续呈现上、下游价格拉锯情况。

相较于2021年12月的现货价格，DDR4 8Gb在一个月内呈现超过10%涨幅，到了1月现货价涨幅则相对缓和，其中，DDR4 8Gb（512Mx16）曾在1月初达到4.12美元左右，但市场价格支撑无力，进入月底最后一周价位约落降至4.01美元，相较于12月底的价格仍有微幅调涨0.5~0.6%。反观DDR3 4Gb的价格落底迹象较为明确，从1月初以来持续稳定提高，近1个月来的现货价格调涨约5%。

在NAND Flash部分，虽然三星电子（Samsung Electronics）西安厂仍受到防疫措施影响，但终端市场对于库存水位偏高仍抱持疑虑，而三星在一度暂缓报价后，陆续朝向恢复生产运作调整，目前西安政府逐步解封并降为低风险地区，后续NAND Flash物流交货及供应仍有待观察。

虽然PC OEM从第1季起有意提高备货水位，但智能手机等移动设备受到销售买气不振，备货需求仍处于淡季水平，而车用供应链也有待长短料调节逐渐恢复动能，不过数据中心的备货需求并未消失或急冻，成为稳定支撑存储器原厂的重要出海口。尽管西安防疫封城事件逐渐落幕，在预期物流及供货变量增加下，第1季NAND Flash合约价跌幅将可望收敛。

据指出，NAND Flash逐月谈的合约价呈现小幅微涨约1%，现货市场交易量虽然并未明显提高，然而从3D TLC 256Gb的现货价走势来看，从1月初至中旬的价格相对稳定，下半月价格则缓步提升，累计近1个月来的涨幅约3%。相较于近月以来的跌价表现，俨然浮现伺机调涨的迹象。

受到农历新年假期的长假效应，国内大陆返乡潮从1月中旬开始陆续显现，除了国内终端代理拉货转弱外，外部市场价格炒作因素也减弱，至于欧美市场需求在长假结束后并未全面启动复苏。业界认为，上游原厂在代理端维持供应有限资源的做法，短期内价格将朝向原厂期望靠拢。整体来看，DRAM价格回涨趋势较为明确，NAND Flash仍要观察市场需求及拉货力度，虽然上游原厂均希望推动价格回升，但实际市场买气表现仍要等到年节过后可望趋于明朗。

值得观察的是，原本上游原厂不断释出酝酿调涨的态度，然终端代理因库存水位偏高并不买单，对于价格能否顺利调涨抱持疑虑，但考察到供给资源、疫情、物流等多重变化下，近期对于年节过后可能带来一波涨势的看法转趋清晰。不过存储器模块仍认为，即使短暂价格走扬，不尽然代表乐观期待存储器价格重回荣景，第2季市场供需动态仍是充满变量。

责任编辑：张兴民