南韩成功研发SiC晶锭粉末 材料自主更进一步

韩国设备业者STI成功研发高纯度碳化硅（SiC）晶锭粉末，此为半导体晶锭的基础材料，韩国过去主要依赖海外进口。业界期待，本次研发成功有助推动韩国半导体原材料本土化。

根据ET News报导，STI继研发SiC半导体晶锭的制造设备物理气相传输法（Physical Vapor Transport；PVT）长晶炉，掌握晶锭成长技术后，投入20多位研究人员与100亿韩元（约838万美元），成功开发SiC晶锭粉末。

STI曾研发石英玻璃电器炉、碳化硅长晶炉等半导体设备，透过本次成功研发SiC晶锭粉末，计划成为半导体原材料及设备综合业者。STI表示，为了测试半导体设备，STI曾向一家日本业者进口原料并用于晶锭成长，但遇到困难。STI在实现高纯度SiC晶锭生产的同时，成功研发比原进口日本企业99.8%纯度更高，达到5N级99.9998%纯度的晶锭粉末。

日本市调机构富士经济研究所指出，全球SiC粉末市场将从2022年2.88万亿韩元规模，持续成长至2024年2.95万亿韩元，其中电装（Denso）、住友化学（Sumitomo Chemical）、昭和电工（Showa Denko）等日本业者，掌握高纯度SiC半导体将近一半的市场。

据悉，SiC晶锭粉末若达成本土化，将为韩国带来2,000亿~3,000亿韩元规模的进口替代效果。目前除了STI，SK Siltron、HANA Materials等韩国业者，也开始投入SiC晶圆、晶锭及粉末的本土化事业。

责任编辑：陈至娴