东芝全新SiC-MOSFET驾到，强悍性能一睹为快！

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SiC-MOSFET又名碳化硅场效应管，因其输入阻抗高，驱动功率小，驱动电路简单，开关速度快，在大功率高频场合下被广泛应用。与传统的Si器件相比，SiC的漂移层阻抗比Si器件低，且不需要进行电导率调制就能够以MOSFET实现高耐压和低阻抗，而且MOSFET原理上不产生拖尾电流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT时，能够明显地减少开关损耗，在保持良好散热性的同时，更有利于实现器件小型化。另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。东芝最新研发的SiC-MOSFET器件——MG800FXF2YMS3，完美匹配SiC-MOSFET的全部优点，下面让我们一睹它的强悍性能。

新产品采用具有高度安装兼容性的iXPLV（智能软包装低压）封装，满足了轨道车辆逆变器和转换器以及可再生能源发电系统等工业应用对于高效紧凑型设备的需求。不仅如此，在新开发的SiC-MOSFET模块中采用了SDB芯片，该芯片在采用行业标准封装的同时实现了低寄生电感。新模块适用于光伏逆变器、工业逆变器、轨道车辆逆变器和转换器等，并通过高速开关和低损耗运行，能够进一步助力工业设备的小型化和轻量化。

为了让大家可以更清晰地理解产品的性能特性，MG800FXF2YMS3在功能测试时随机抽取了市场上友商们生产的产品一同进行测试对比，得出了如下图完美的测试结果：

全新的MG800FXF2YMS3模块采用最新研发的iXPLV封装，进一步优化工作电路特结构，在这种新封装中引入了两个感应器件，一个用于温度感应的热敏电阻和一个用于电流感应的电感。从而实现模块的温度可以通过安装在iXPLV中的热敏电阻进行自我监控，热敏电阻的最大额定电压为7.1V，最大额定电流为5mA(推荐电流为100μA)，最大额定功率为10mW，工作温度范围为-40℃~ 150℃，最大额定值范围内使用热敏电阻对整个电路系统也能形成一种有效的保护。同时MG800FXF2YMS3能够在IGBT不能工作的高频电路中驱动高速开关电路，在逆变电路中降低了逆变器系统的材料成本，进一步提高了器件的可靠性并降低维护成本。

东芝半导体在SiC-MOSFET研发设计方面积累了多年的经验，并持续致力于创新和提升芯片的功能属性和稳定特性，进一步帮助用户在参考设计和应用部署上解决难题和困惑。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

公司23,100名员工遍布世界各地，致力于实现产品价值的最大化，东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，公司现已拥有超过7,110亿日元（62亿美元）的年销售额，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。

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