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1月12日消息，广州市鸿浩光电半导体有限公司半导体设备开发项目在佛山市南海区投资促进中心签约。
鸿浩光电将投资建设半导体设备、半导体精密加工厂房、研发及实验室，并承诺日后该项目公司作为上市主体。项目占地约50亩，计划总投资约20亿元，其中固定资产投资超过10亿元。项目计划于2022年动工建设，项目建成达产后，年产值约20亿元。
广东鸿浩半导体设备有限公司是专业从事半导体薄膜设备及相应材料研发、生产、销售与技术服务的高科技公司，着力于”12寸化学气相沉积机台””面板及光伏应用物理气相沉积机台””氢氟酸循环回收设备”3大重点项目。目前已服务芯恩半导体、中芯国际、粤芯半导体等国内大型芯片制造商。
依托半导体及光电行业深厚背景，拥有专业化极高的研发、生产、销售与服务团队，团队成员主要来自于台湾半导体产业链与光电产业链，研发人员由大陆及台湾各知名高校的学士、硕士、博士组成。
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薄膜沉积设备分类薄膜沉积是指在硅片等衬底上沉积待处理的薄膜材料，所沉积薄膜材料主要是二氧化硅、氮化硅、多晶硅等非金属以及铜等金属，沉积膜可为无定形、多晶的或者单晶。薄膜沉积设备主要负责各工艺步骤中的介质层与金属层的沉积，包括CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积）和ALD（原子层沉积）等，其中ALD属于CVD的分支。按照沉积工艺不同，薄膜沉积设备分为CVD设备、PVD设备和ALD设备。 
图4：薄膜沉积设备分类
1.物理气相沉积（PVD）设备 物理气相沉积(Physical Vapor Deposition)是以物理机制来进行薄膜沉积技术，过程不涉及化学反应，主要包括蒸镀、溅镀、电弧等离子体镀膜、离子镀膜、分子束外延镀膜等几大类。蒸镀是指在高真空腔体中通过电阻、电子束、高频感应、电弧和激光等蒸镀源对蒸镀材料进行加热，使之达到熔化、气化温度，使蒸镀材料的原子或分子从其表面气化逸出形成蒸汽流，入射到待蒸镀基板表面，凝结形成固态薄膜的的一种镀膜技术。蒸镀技术适用范围广，可在金属、半导体、绝缘体甚至塑料、纸张、织物表面上沉积金属、半导体、绝缘体、不同成分比的合金、化合物及部分有机聚合物等的薄膜，可以不同的沉积速率、不同的基板温度和不同的蒸气分子入射角蒸镀成膜，易于在线检测和控制薄膜的厚度与成分，因而可得到不同显微结构和结晶形态(单晶、多晶或非晶等)的纯度较高的薄膜。
溅镀通常指磁控溅镀，是指利用带电荷的粒子在电场中加速后具有一定动能的特点，在1.3×10-3Pa的真空状态充入惰性气体，并在基材(阳极)和金属靶材(阴极)之间加上高压直流电，由于辉光放电(glow discharge)产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，将金属靶材的原子轰出，沉积在基材上。与蒸镀相比，溅镀具有电镀层与基材结合力强、附着力高，电镀层致密均匀等优点，缺点是工艺成本相对较高。分子束外延(MBE)是是一种特殊的真空镀膜工艺，即沿衬底材料晶轴方向逐层生长薄膜。该技术的优点是使用的衬底温度低，膜层生长速率慢，束流强度易于精确控制，膜层组分和掺杂浓度可随源的变化而迅速调整。分子束外延可制备几十个原子层的单晶薄膜，以及交替生长不同组分、不同掺杂的薄膜而形成超薄层量子显微结构材料。使用物理气相沉积（PVD）设备镀膜可以达成快速的沉积速率和准确的沉积厚度控制，制备的薄膜致密性好、粘结力强及纯净度高，因此是目前半导体工业所大量采用的薄膜制作方式。但相较于化学气相沉积（CVD），物理气相沉积（PVD）在小线宽的薄膜沉积方面阶梯覆盖率(Step Coverage)较差。
2.化学气相沉积（CVD）设备化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition）是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺，可应用于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。CVD设备则由气相反应室、能量系统（加热或射频）、反应气体控制系统、真空系统及废气处理装置等组成。常用 CVD 设备如下，主要适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等的不同要求：（1）常压化学气相沉积（APCVD）是最早的CVD设备，结构简单、沉积速率高。（2）次常压化学气相沉积（SACVD）由于反应腔环境具有特有的高温（400-550℃）、高压（30-600Torr）环境，具有快速填空（Gapfill）能力，因此主要应用于沟槽填充工艺。（3）低压化学气相沉积（LPCVD）由APCVD发展而来，由于其工作压力大大降低，薄膜的均匀性和沟槽覆盖填充能力有所改善，相比APCVD的应用更为广泛。（4）等离子增强化学气相沉积(PECVD)由于等离子体的作用，化学反应温度明显降低，薄膜纯度得到提高，致密度得以加强，不伤害芯片已完成的电路，因此在从亚微米发展到90nm的IC制造技术过程中发挥着重要作用。（5）金属有机气相沉积 （MOCVD）技术主要用于制备半导体光电子、微电子器件领域的各种Ⅲ-Ⅴ族化合物（GaAs、GaN）和Ⅱ-Ⅵ族化合物（ZnSe）半导体单晶材料。目前，在化合物半导体量子阱、超晶格和异质结等低维结构的制备中，MOCVD越来越成为主要手段，并在化合物半导体LED、激光器、高频电子器件和太阳电池等领域具有规模化生产的能力。
3.原子层沉积（ALD）设备原子层沉积（ALD）是可以将物质以单原子膜形式过循环反应逐层沉积在基底表面，形成对复杂形貌的基底表面全覆盖成膜的方法。原子层沉积与普通的化学沉积有相似之处，但在原子层沉积过程中，新一层原子膜的化学反应是直接与之前一层相关联，因此该方式每次反应只沉积一层原子。在ALD工艺过程中，通过将不同的反应前驱体以气体脉冲的形式交替送入反应室中，因此具有自限制生长的特点，可精确控制薄膜的厚度，制备的薄膜具有均匀的厚度和优异的一致性，台阶覆盖率高，特别适合深槽结构中的薄膜生长，对于多维结构体表面精确成膜需求具有不可替代的应用。由于 ALD 设备可以实现高深宽比、极窄沟槽开口的优异台阶覆盖率及精确薄膜厚度控制，因此在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、DRAM 和 3D NAND 制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。
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