恩智浦推出TEA2209T主动整流控制器，提高电源功率密度

目前，充电器的功率越来越大，输入的电流也在日益见涨。在小功率的充电器中使用整流桥，将交流电整流为直流电，再由电容滤波为初级电路供电，是一种非常成熟的做法。整流桥具有可靠性高，价格低廉的优势，在充电器中应用十分广泛。

随着氮化镓快充的发展，高频高效的优势改写了充电器笨重不便携的历史，在大功率应用中，氮化镓快充的体积仅为传统电源方案尺寸的1/5，大大减小了电源的体积。体积的减小对应着是电源集成度的提高，以及散热面积的减小。

氮化镓在充电器中应用，取代传统的硅MOS，可以大大减小开关损耗，提高充电器的转换效率，并降低发热，减小散热需求。但传统输入端整流桥的损耗，是不变的，随着输出功率的增加，整流桥的功耗也会同步上升，需要占用较大面积的散热片来为整流桥散热，并且还降低了充电器的效率。

既然充电器内部都使用氮化镓了，初级的整流电路有没有办法也降低一下损耗呢？利用MOS管低导阻的优势，取代具有固定压降的二极管整流。这就是现代充电器次级所应用的同步整流，采用同步整流控制器控制低导阻的MOS管，代替二极管进行整流，实现更低的压降，更低的功耗。 

使用四颗MOS来代替传统整流桥，并由一颗支持桥式整流的控制器来驱动，就是同步整流在充电器输入端的应用。主动整流分为两种，一种是采用两颗MOS管代替整流桥的两个二极管，这样可以降低一半的损耗，同时无需高压驱动器，便于设计，成本较低。但是这种解决方案，只降低了一半的损耗。

还有一种就是采用四颗MOS管来代替传统整流桥，可以消除掉绝大部分整流桥的损耗，从而显著提升电源的整机能效。这种全桥解决方案具有高能效，低损耗的优势，但缺点就是需要高压驱动器，同时使用四颗MOS管，成本较高。但是为了高能效和高功率密度的追求，这种全桥主动整流解决方案，也确实是最佳选择了。

主动整流是一种相对成熟的解决方案，实际使用与传统整流桥相同。是针对高能效要求的理想整流桥替代方案，在苹果最新推出的140W USB PD3.1适配器中也有应用。不过苹果采用的是较低成本的下管解决方案，就是两颗MOS管的第一种，但是也已经显著降低了整流管损耗，从而降低了整流桥损耗。

NXP恩智浦推出了一款全桥四管的主动整流控制器TEA2209T，内置高压驱动器，无需外置驱动器，能够根据交流电压输入极性，自动切换对角的MOS管导通或关闭，实现超低损耗的主动整流。目前该器件已经被聚能创芯140W氮化镓快充电源采用。

TEA2209T采用SO16封装，简化了电源生产。芯片内部集成了高压驱动器，可直接驱动四颗整流MOS管，显著减少外围器件数量。同时芯片内部还集成了X电容放电功能，能够实现更精简的外围和更低的功耗。

TEA2209T支持禁用功能，关闭驱动器输出并使用MOS管内置的体二极管整流，能够有效降低电源的待机功耗。禁用功能支持与PFC控制器或MCU联动，以实现最大限度的降低待机功耗。这颗芯片适用于开关电源应用，可用于电视机，台式机，笔记本电脑适配器等应用，降低发热并提高效率。

充电头网总结

随着充电器功率的不断提升，如何在小体积内部实现更高的功率密度，并降低功率损耗，成为电源设计的重要目标。主动整流的推出，极大的降低了传统整流桥的功率损失，提高电源效率，降低散热需求，成为电源提升功率密度的可行解决方案。

恩智浦推出的TEA2209T支持使用四颗MOS管代替传统整流桥，通过MOS管极低的正向压降消除整流桥正向压降带来的损耗，从而大幅降低发热及散热需求。恩智浦还推出了两颗MOS管的主动整流控制器，能够以低成本实现部分主动整流，发热也可以得到明显的改善。

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