中国企业挑战氮化镓芯片领域独角兽，自主研发打破国外垄断 “我们建成了全球首条8英寸硅基
氮化镓外延与芯片量产生产线，并在非常短的时间内打破了国外知名半导体公司在
氮化镓功率芯片设计和生产制造领域对中国市场、甚至全球市场的垄断。”
英诺赛科（珠海）科技有限公司（以下简称“
英诺赛科”）创始人骆薇薇说，
氮化镓作为第三代半导体材料的代表，在新能源汽车、5G通讯、激光雷达等细分行业，有着广泛的应用。“8英寸硅基
氮化镓功率芯片量产线”的通线投产，意味着制约我国第三代半导体产业的技术瓶颈得到了突破，势必在庞大的半导体上下游产业中实现对进口技术和产品的替代。
骆薇薇毕业于新西兰梅西大学，获得应用数学博士学位。毕业后，她在美国宇航局（NASA）工作了15年，并创办了两家以新材料为核心业务的高科技公司。2015年底，作为骆薇薇创办的第三家公司，
英诺赛科选择在珠海国家高新区落户，这是一家典型的创新型高科技企业，目前公司有26项科技成果获得国际专利，并有其他40多项成果正在申请国际专利。
“难，真难，太难了。”谈起自己的创业之路，骆薇薇连用了三个“难”字。骆薇薇在国外工作生活了二十多年，此次下定决心回国创业，其难度可想而知。有人说回国创业是火坑，劝她不要往里跳。但骆薇薇并没有理会，即使她的整个团队里只有一名员工愿意追随她回国创业，即使研发费用迟迟没有着落，即使所有人都不看好她这次回国创业之旅，这些都无法动摇骆薇薇研发“中国芯”的决心。
如今，经过三年的发展，
英诺赛科在政府多部门以及各方合作组织的大力支持下，已经成功汇聚中、美、德、韩四国精英人才，员工规模突破200人的世界顶尖氮化镓功率芯片生产商。英诺赛科作为中国“芯”动力，将以融汇全球高端智力资源，研发顶尖半导体应用产品的决心，蓄势待发，正式进军国际市场。
英诺赛科荣获国家级创新创业大赛一等奖
第三届“中国创翼”创业创新大赛颁奖仪式
在刚刚闭幕的第三届“中国创翼”创业创新大赛全国总决赛的比赛上，经过激烈的角逐，骆薇薇团队以“高性能8英寸硅基氮化镓外延、功率器件研发与产业化项目”获得主体赛创业组一等奖。
这次活动全国共有31704个项目报名参赛，通过区县、地市、省级选拔赛的层层选拔，共232个项目进入10月12日至14日的全国选拔赛和决赛，其中92个项目分获一、二、三等奖和优胜奖，并由人社部授予“全国优秀创业创新项目”称号。
参赛者既有引领潮流的科技专家、技能人才，又包含朝气蓬勃的大学生、留学生等。参赛项目覆盖电子信息、互联网、生物医药、先进制造、新能源及节能环保、新材料等各领域。
第三届 “中国创翼”创业创新大赛是由人力资源社会保障部联合国家发展改革委、科技部、共青团中央、中国残联共同举办的一项全国性赛事，自今年3月启动以来，在全国各地掀起了热烈反响。
英诺赛科一等奖获奖证书和奖杯
经过多轮比赛、选拔，通过项目介绍、专家问答、综合评估，英诺赛科（项目名称：高性能8英寸硅基氮化镓外延、功率器件研发与产业化）从选拔赛到决赛一直保持着领先优势，最终以91.25的高分斩获第三届“中国创翼”创业创新大赛全国总决赛第一名！
创新引领时代，用“芯”点亮未来
创新是引领发展的第一动力，骆薇薇就是一个以创新为先，每天都在围绕创新做文章的人。之所以参加“中国创翼”，骆薇薇坦言是被大赛的口号所吸引的：“创新引领创业，创业带动就业。”这话说得太对了，无创新不发展，无就业不兴旺。
只有企业创新，才能发展经济，只有拉动就业，社会才能兴旺。创新，是英诺赛科的命脉，助力中国’芯’突破，正是英诺赛科奋斗的目标。
2018年6月，在江苏省苏州市吴江区汾湖高新区，英诺赛科宣布其占地368亩、一期投资总额高达60亿元的英诺赛科（苏州）半导体有限公司项目正式落户当地，生产基地建设也同期展开，预计将于2019年底正式通线投产。
一期项目建成后，预计8英寸功率与射频芯片的年产能将达到6.5万片，直接创造就业岗位2000余个。这无异又为“中国芯”注入了一针强“芯”剂！英诺赛科通过自主研发、自建晶圆厂，从设计到制造可为氮化镓芯片产业链提供一站式解决方案，目前已经成为国内该领域独角兽。而此次获得国家创业大赛一等奖，更是主办方、组委会及社会各方人士对这一自主创新项目的认可和肯定。
