新思携手三星提供3DIC完整解决方案，系统级提升SoC创新

新思科技近日宣布，其集成了2.5D和3D多裸晶芯片封装协同设计与分析技术的3DIC Compiler平台，已通过三星晶圆厂（以下简称三星）多裸晶芯片集成(MDI™)流程认证，助力面向高性能计算、人工智能和5G等计算密集型应用SoC的创新。基于此次合作，双方的共同客户能够通过统一的3DIC设计平台高效管理支持数千亿晶体管的复杂的2.5D和3D设计，从而达成更高水准的PPA目标与扩展性能。

新思科技和三星携手，通过从早期到系统全面实现和签核的分析，简化多裸晶芯片设计优化的方式。基于新思科技3DIC Compiler平台进行的芯片和先进封装协同设计和分析，再一次证明了双方的密切合作能够为客户提供先进生产力解决方案，协助他们缩短周转时间并降低成本。

Sangyun Kim

设计技术团队副总裁

三星电子晶圆厂

多裸晶芯片集成是指将多个裸晶芯片堆叠并集成在单个封装中，以满足在PPA、功能性、外形尺寸和成本方面的系统要求。在这种模式下，终端产品可模块化灵活组合，将不同的技术混合匹配成解决方案，以满足不同的市场细分或需求。

3DIC Compiler是一套完整的端到端解决方案，可实现高效的多裸晶芯片设计和全系统集成。它建立在新思科技高度集成的Fusion Design Platform™的通用、可扩展的数据模型之上，支持多裸晶芯片的协同设计和分析， 为3D可视化、设计早期探索、规划、具体实现、设计分析和签核提供统一无缝的集成环境。

传统的3DIC设计流程繁琐且需要反复迭代，因此实现多裸晶芯片集成需要多个工具和流程，极大限制了工程效率。为满足我们客户对更高效率、更大扩展能力的需求，我们在3DIC Compiler上进行开创性创新，提供从初步规划到签核的3D硅实现一体化平台，进一步提升了新思科技在此领域的领先地位。三星和新思科技密切合作，使3DIC Compiler通过了MDI流程验证，为我们的共同客户提供经流片验证的成熟平台，在优化多裸晶芯片创新设计的同时加速产品上市。

Shankar Krishnamoorthy

芯片实现事业部总经理

新思科技

3DIC Compiler平台集成了StarRC™和PrimeTime®黄金签核解决方案，可为多裸晶芯片提取寄生参数及静态时序分析 (STA)；采用了Ansys® RedHawk™-SC和HFSS技术进行电迁移/电压降(EMIR)分析、信号完整性/电源完整性 (SI/PI) 分析及热分析；内置PrimeSim™ Continuum用以电路仿真，并集成了IC Validator™用以设计规则检查 (DRC) 、电路布局验证(LVS) ；同时还包含了新思科技TestMAX™ 可支持IEEE1838多裸晶芯片测试设计标准的DFT 解决方案。 

3DIC Compiler作为新思科技Fusion Design Platform的一部分，与Fusion Compiler™结合使用可扩展实现多裸晶芯片RTL-to-GDSII的协同优化。3DIC Compiler平台和更广泛的芯片实现产品组合是新思科技Silicon to Software™战略的一部分，旨在助力开发者加速开发面向未来的半导体和软件产品。