全球领先的芯动DDR接口技术荣获“硬核中国芯最佳IP产品奖”

12月28日，在第三届硬核中国芯领袖峰会上，芯动科技凭借全球顶尖的全系高端DDR存储接口解决方案，成功斩获“硬核中国芯——2021年度最佳IP产品”奖项。

芯动科技在高端DDR方面可以说是一骑绝尘，从DDR5（单DQ达4.8Gbps~5.6Gbps），到LPDDR5/5X（单DQ达6.4Gbps~7.6Gbps）、GDDR6（单DQ达16Gbps）乃至GDDR6X（单DQ达21Gbps）、HBM3.0（单DQ达6.4Gbps），均包含PHY和控制器IP，全面支持JEDEC各标准，做到了一站式覆盖，这在全球都是绝无仅有的。

该技术还具备高性能、高带宽、低功耗、低延时、小尺寸、可扩展设计等特征，做到各主流FinFET先进工艺全覆盖，支持一站式集成和多样化定制，是全球覆盖面最广、业界最顶尖的DDR系列技术，堪称DDR领域的天花板，已一站式赋能高性能计算、多媒体&汽车电子、IoT物联网等多个平台。

其中，芯动科技首发的GDDR6/6X COMBO IP是全球速度最高的DDR显存技术，单个DQ能达到21Gbps超高速率，是最新DDR5速率的4倍以上，在256位宽度下系统带宽超过5Tb/秒，兼具低成本、高性价比优势，可谓是高性能计算神器。该技术为图形处理、科学计算和人工智能等大数据处理应用提供了卓尔不凡的体验。近期芯动为客户定制的国产首个4K级高性能GPU“风华1号”搭载的正是自研GDDR6X显存技术。

据介绍，GDDR6X并非简单的超频技术，为了数据密度更高，它使用了32位并行单端PAM4技术，比业界常见的串口差分PAM4技术，难不止一个数量级，全球除了英伟达，一个公司都做不出来，每个时钟周期可以传输多次数据——数据吞吐量越大，芯片并行计算能力越大，GPU能够同时渲染的像素点越多，画质越清晰。使用GDDR6X技术可满足4K高刷新率画面需求；在提升接口数据传输速率的同时，它实际内核频率甚至可以做到比上一代技术更低一些。

芯动科技GDDR6X研发负责人高专透露，“GDDR6X的PAM4并行技术是英伟达与美光在一栋楼里共同研发两年才研发出来，而芯动团队是全球唯一一家，仅凭有限的远程技术支持，只用一年时间就做出来了，连AMD目前都还没有做到成功研发该技术。”芯动科技作为全球对DDR接口技术覆盖最全的IP公司，具备十多年的技术基础积累和200次流片打磨的经验，可以说是国内硬科技企业的代表，获得硬核中国芯荣誉也是实至名归。

“硬核中国芯”评选由国内领先的半导体电子信息媒体芯师爷发起并主办，旨在发掘、表彰优秀和有创新力的中国芯企业，并通过全方位展示企业产品、技术、解决方案、应用场景，为中国芯企业在终端市场发展提供强劲助力。活动至今已成功举办三届，累积约300家IC设计公司申报，在中国集成电路行业内获得广泛认可。

2021年，经过7个多月的激烈角逐，“硬核中国芯”组委会以线上25万工程师评分数据为基础，结合线下行业专家评审团评分，共评选出囊括产品、企业、团队的三大类24项大奖。

芯动科技（Innosilicon）是中国一站式IP和芯片定制领军企业，专注于高性能计算GPU、高带宽交换与存储等领域，提供全球各大工艺从55纳米到5纳米FinFET全套高性能IP核和ASIC定制解决方案。公司15年来立足本土发展，所有IP和芯片全国产自主可控，经过200多次先进工艺流片，过50亿颗高端SoC量产，连续十年中国市场份额遥遥领先。

芯动是中国唯一受到全球6大顶尖晶圆厂（台积电/三星/格芯/中芯国际/联华电子/英特尔）签约支持的技术合作伙伴，聚焦从28/22纳米、14/12纳米、10纳米、7纳米到5纳米等FinFET/FDX节点，支持了中芯国际、华力等国产先进工艺量产首发。芯动是为数不多圆满完成多项国家重大专项的领军企业，历史客户群涵盖华为海思、中兴通讯、瑞芯微、全志、君正等国内前十设计公司，以及AMD、微软、亚马逊、高通、安盛美等全球知名企业。我们日常所用的轨道交通身份证“刷脸认证”、高清机顶盒、监控摄像、游戏机、手机、平板、全球顶级示波器主控芯片、以及CPU/GPU/NPU等多种先进产品背后都有芯动技术。

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