杭州芯火壹号HX001阻变存储芯片发布：150℃下可保存10年

近日，杭州国家“芯火”平台宣布，其第一颗芯片——超大窗口阻变随机存储器芯片正式诞生，命名“杭州芯火壹号”HX001。

该芯片由杭州国家“芯火”双创平台、浙江大学微纳电子学院协同开发完成，其中阻变器件选择插层结构，采用双层或多层的插层结构来固定导电细丝在电极、插层和阻变层界面处的位置。

制备Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构，可有效地减少阻变器件的阻变参数的离散性。

具有Pd/Al2O3/HfO2/NiOx/Ni结构的阻变器件不需要Forming操作，从而有效提高忆阻器的窗口，存储窗口可大于106，并减少了对器件的后端集成。

同时，采用十字交叉阵列将单元面积做到40F2，大大提高了阻变器件的集成密度。

经过功能和性能检测，HX001芯片的工作电压小于5V；所读取的忆阻器阻值窗口远大于106；在150℃环境下，分别在1s、30s、100s、300s、1000s、3000s时加约0.1V小电压，对忆阻器进行数据保持特性测试，忆阻器均能保持电阻阻值稳定。

根据模型外推，忆阻器所存储的数据可在150℃环境温度下保持10年以上，忆阻器单元面积小于40F2。

目前，HX001芯片已经多家单位评测试用，用户均认为该芯片产品具有较好的存储特性和可靠性，优于市场同类产品，具有较好的市场应用前景。

项目已申请一项国家发明专利。

科普：什么是忆阻器？

忆阻器（Memoristor）是表示磁通与电荷关系的电路器件。阻变式存储器（RRAM）是以非导性材料的电阻在外加电场作用下，在高阻态和低阻态之间实现可逆转换为基础的非易失性存储器。

作为阻变式存储器芯片一个重要的电子元件，忆阻器的电阻会随外加电压的高低而变化。

RRAM将比闪存更快记忆信息，消耗更少电力，占用更少空间。