小米详解澎湃P1自研芯片：行业首次实现单电芯120W快充

今天下午，小米公布了新一代自研芯片澎湃P1这是小米首款自研的充电芯片，将由下周登场的小米12 Pro首发搭载。

随后，官方也发文对这颗新澎湃芯片进行了详细的介绍，一起来看看吧。

小米表示，快充是一个系统性工程，涉及寿命、安全、续航等等维度。如果一味地追求充电时间的极限，则会在其他方面造成妥协。

目前，有线充电速度达到120W的智能手机无一例外采用双电芯系统，高速的代价是降低了手机内部空间利用率：得原本可以留给电芯的空间，被更复杂的充电电路和双电芯结构所占用，同样体积下，双串电芯的容量要低4%左右。

不止如此，双串电芯在放电时又需要一颗2:1芯片进行降压，它本身的转换效率会导致电量浪费3%～4%。单电芯充电系统可以规避以上问题，但将充电功率提高到100W以上却面临着巨大的挑战。

小米官方称驱动120W澎湃秒充的核心是两颗澎湃P1，它们接管了传统的5电荷泵复杂结构，将输入手机的高压电能，更高效地转换为可以直充电池的大电流。

澎湃P1作为业界首个谐振充电芯片，拥有自适应开关频率的4:1超高效率架构，谐振拓扑效率高达97.5%，非谐振拓扑效率为96.8%，热损耗直线下降30%。

澎湃P1本身承担了大量的转换工作：传统电荷泵只需要两种工作模式（变压、直通），而澎湃P1需要支持1:1、2:1和4:1转换模式，并且所有的模式都需要支持双向导通，这意味着总共需要15种排列组合的模式切换控制——是传统电荷泵的7倍。

正向1:1模式让亮屏充电效率更高，正向2:1模式可兼容更多充电器，正向4:1可支持120W澎湃秒充，反向1:2/1:4模式可支持高功率反向充电。

同时，澎湃P1也是小米充电效率最高的4:1充电芯片，可做到0.83W/mm²超高功率密度，LDMOS也达到业界领先超低1.18mΩmm²RSP。

而澎湃P1芯片内部需要用到三种不同耐压的FLY电容，每颗电容需要独立的开短路保护电路，而每种工作模式又需要严格控制预充电压，功率管数量接近传统电荷泵的两倍。并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升，每片澎湃P1在出厂时都需要通过2500多项测试，远高于传统电荷泵。

最终，在它帮助下得以对电路进行大幅度简化，同时澎湃P1本身的超高效率意味着发热量处在理想范围内，可以维持更长时间的满功率运行，且支持无线充电。