SSLCHINA 2019&IFWS 2019： 迈向新高地，看微波射频与5G移动通信技术最新进展

11月25－27日，由深圳市龙华区科技创新局特别支持，国家半导体照明工程研发及产业联盟（CSA）、第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）主办，深圳第三代半导体研究院与北京麦肯桥新材料生产力促进中心有限公司共同承办的第十六届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA 2019）暨2019国际第三代半导体论坛（IFWS 2019）在深圳会展中心召开。 

11月27日上午，“微波射频与5G移动通信”分会如期召开。本届分会由苏州锴威特半导体股份有限公司、中国电子科技集团第十三研究所、国家电网全球能源互联网研究院有限公司、英诺赛科科技有限公司协办。

氮化镓微波器件具备高频、高效、大功率等特点，在5G通信中应用潜力巨大。这一特定领域的突破标志着宽禁带半导体产业迈向新的高地。分会关注氮化镓微波器件及其单片集成电路材料外延、建模、设计与制造、可靠性技术及HEMT器件在移动通信中的应用等各方面，呈现第三代半导体微波器件及其应用的最新进展。

台湾长庚大学教授邱显钦、德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR CKNER、中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利、西安电子科技大学教授刘志宏、北京国联万众科技有限公司副总经理张志国、南京电子器件研究所高级工程师张凯、中国电子科技集团第41研究所张光山、河北半导体研究所王毅等来自中外的强势力量联袂带来精彩报告。河北半导体研究所副所长蔡树军、苏州能讯高能半导体有限公司董事长张乃千共同主持了本次分会。
传统的砷化镓功率放大器的效率并非固定不变，除此之外5G通讯系统在功率放大器的散热和集成度方面又有很高的要求。会上，台湾长庚大学教授邱显钦带来了题为“适用于第五代行动通讯六吋氮化镓微波功放技術及基站功率电源模块”的主题报告，介绍并分析了氮化镓材料的5G功率放大器，针对氮化镓外延对应的衬底材料进行对比分析，对未来的6G初期以及毫米波应用，氮化镓HEMT器件也进行了介绍分析。

氮化镓HEMT在性能和体积上在W波段到D波段的高频应用方面具有很大的潜质。而为了未来的性能增强，外延结构和可靠性还需要更多的提升。德国弗劳恩霍夫应用固体物理研究所部门技术部门经理Peter BR？CKNER做了题为“高频氮化镓HEMT器件和MMIC”的精彩报告，他表示，FRAUNHOFER 研究院致力于研究氮化镓HEMT的短栅极技术和MMIC加工工艺。重点研究的任务是外延结构、漏电流控制、缺陷状态以及小型本征器件的定义等。因此，一种小尺寸的可靠栅极加工工艺将被用于评估外延结构和其他的加工零部件。除此之外，还有一些加工的概念需要在可靠性方面进行评估。

近年来，全球信息通信产业呈现移动化、宽带化和智能化的发展趋势。第五代移动通信系统（5G）不仅立足于移动通信本身，而且将渗透到未来社会的各个垂直领域，构建以用户为中心的全方位信息生态系统。会上，中兴无线技术总工及技术委员会专家刘建利分享了5G毫米波应用，分层次介绍5G毫米波的业界进展、5G毫米波的特性与应用场景及5G毫米波应用涉及的关键技术等。
他表示，5G将与传统制造、服务行业的融合创新促成“互联网＋”新形态，改变人们的生产、工作、生活方式，为当今中国经济和社会的发展带来的无限生机。相较于4G移动通信系统，5G需要满足更加多样化的场景和极致性能挑战。多种场景下的应用，需要对支持部署5G系统新空口标准的候选频段进行全频段布局，以综合满足网络对容量、覆盖、性能等方面的要求。

西安电子科技大学教授刘志宏带来了题为“高频硅基氮化镓晶体管“的主题报告，北京国联万众科技有限公司副总经理张志国分享了5G用毫米波Doherty功率放大器研制的进展。

南京电子器件研究所高级工程师张凯做了题为“一种新型毫米波氮化镓高线性晶体管”精彩报告，概括了GaN高线性器件的国内外进展，创新提出一种增强式缓变沟道的GaN HEMTs器件，器件展现了相当优异的开态以及关态特性，同时显著减缓跨导的下降，（0．15＆micro；m器件截止频率fT／fmax达～85／250 GHz），出色的综合性能使得本成果在5G毫米波通信等方面具有巨大的应用潜力。

微波芯片测试是目前发展的热点。中国电子科技集团第41研究所张光山分享了一种用于微波半导体芯片测试的高集成度多参数射频收发模块设计方法。按照合成仪器设计思路，采用开放式模块化仪器和标准总线架构，以软件无线电为核心，通过综合化射频通道方式设计小型化与高集成度射频微波收发模块。模块频率可达18GHz、带宽最大500MHz，体积非常小，非常适合在微波半导体芯片测试领域应用。

河北半导体研究所王毅介绍了一种采用氮化镓MMIC和的分离FET器件的HMIC封装技术的便携X波段功率放大器。

（内容根据现场资料整理，如有出入敬请谅解）

来源：中国半导体照明网