IBM与三星合作发表VTFET芯片设计技术，预计突破1纳米制程瓶颈

外媒报导，美国加州旧金山举办的IEDM2021蓝色巨人IBM与韩国三星共同发表“垂直传输场效应晶体管”（VTFET）芯片设计。将晶体管以垂直方式堆栈，并让电流也垂直流通，使晶体管数量密度再次提高，更大幅提高电源使用效率，并突破1纳米制程的瓶颈。

相较传统将晶体管以水平放置，垂直传输场效应晶体管将能增加晶体管数量堆叠密度，并让运算速度提升两倍，同时借电流垂直流通，使电力损耗在相同性能发挥下降低85%。

IBM和三星指出，此技术能在未来手机一次充电续航力就达一星期，可使某些耗能密集型任务如加密运算更省电，减少对环境的影响。不过IBM与三星尚未透露何时开始将垂直传输场效应晶体管设计应用于产品，但是市场人士预估，短时间内会有进一步消息。

相对IBM与三星技术成果发表，晶圆代工龙头台积电也在5月宣布，与中国台湾大学、麻省理工学院共同研究，以铋金属特性突破1纳米制程极限，下探至1纳米以下。英特尔日前也公布制程发展布局，除了现有纳米级制程节点设计，接下来也会开始布局埃米等级制程，预计最快2024年进入20A制程节点。