矽力杰｜小基站，大未来

5G时代基站率先发展。传统基站占地大，影响环境美观，承重及风荷载差，功能集成少，造成城市容貌不佳和资源浪费。于是小基站应运而生，在热点区域，小基站由于功率小，可以在更小的范围内实行频率复用，提升容量，帮助宏基站分流，来填补“宏基站”的空隙，形成一张全面覆盖的整网。

5G小基站

5G Small Cell 

5G基站主要分为宏基站和小基站。

宏基站主要用于室外覆盖，体型大、覆盖面积广。但由于5G高频段工作的原因，宏基站所能覆盖的信号范围有限，还需要大量的小基站协同宏基站进行连续覆盖和室内浅层覆盖。

小基站发射功率较小，根据覆盖范围大小可分为微基站、皮基站和飞基站。

*小基站的设备形态和应用场景

事实上，在3/4G通信中，小基站产品就已存在，只不过由于前几代宏基站的信号穿透效果较强，导致其存在感看起来并不高，但在5G时代，室内微型基站能对宏基站的覆盖范围形成“补盲补热”的效果，未来几年小基站将是5G网络建设的重点。报告预测，到2031年，公共区域将安装4500万个5G小基站。

未来5年全球小基站设备年均复合增长率将达到117%。5G小基站数量预计中国市场应该有数千万量级，2024年国内小基站市场规模将达247亿元。

矽力杰小基站解决方案

Silergy Small Cell Solution

5G时代，频段持续走高，应用场景扩大，这对运营商的室内覆盖能力提出新的需求。传统宏基站难以实现广深覆盖，而小基站无论是产品形态、发射功率还是覆盖范围都要小很多，成为实现室内覆盖的最佳方案，与宏基站形成互补。矽力杰5G小基站解决方案可提供高可靠性的PWM控制器，大电流DC/DC转换芯片，保护芯片，电流检测比较器及静电保护等方案。

01

PWM控制器

SQ33052

高集成有源钳位PWM控制器

◆  支持电压模式控制和峰值电流模式控制

◆  集成120V高压启动电路

◆  可编程软启动

◆  最大频率1MHz 的可编程振荡器

◆  可编程最大占空比钳位

◆  自适应延迟时间控制

◆  逐周期峰值限流

◆  线电压欠压保护

◆  过流短路外部过热保护

◆  紧凑型封装: QFN4x4-24

SQ33065

宽占空比同步降压控制器

◆  输入电压: 6~75V

◆  开关频率: 100k~1MHz

    ♢ 同步输入/输出功能

◆  软启动或电压跟踪

◆  0.8V±1% 参考电压

◆  最短导通时间: 60ns (典型值)

◆  最短关断时间: 200ns (典型值)

◆  带前馈的Ⅲ型电压模式控制

◆  高增益带宽误差放大器

◆  开漏电源良好指示器

◆  保护功能

    ♢ 逐周期过流保护

    ♢ VIN过压保护

    ♢ 带迟滞的输入UVLO

    ♢ VCC和栅极UVLO保护

    ♢ 带迟滞的热关断保护

◆  紧凑型封装: QFN3.5x4.5-20

02

POE PD

SQ24902

IEEE 802.3bt PD 接口控制器

◆  IEEE 802.3af/at/bt受电设备(PD)控制器

◆  高达71.3W功率传输

◆  5事件分类识别

◆  卓越的浪涌保护 (100V绝对最大值）

◆  宽结温: –40~125℃

◆  过温保护

◆  集成特征电阻器

◆  用于最低功耗/最高效率的外部热插拔N沟道MOSFET

◆  低至9V的可配置辅助电源支持

◆  紧凑型封装: MSOP10

03

热插拔/OR-ing控制器

SQ24901

-48V热插拔和单相OR-ing控制器

◆  -10~-80V直流工作电压，-200V绝对最大值

◆  软启动电容断开

◆  双热插拔栅极驱动器

◆  340µA栅极源电流

◆  双重电流限制 (基于VDS)

   ♢ 低VDS: 26mV±8％

   ♢ 高VDS: 3.7mV±22％

◆  可编程欠压 (±1.5％) 和过压 (±2％)

   ♢ 可编程迟滞 (±11％)

◆  集成OR-ing控制器

   ♢ 调节: 25 mV±15 mV

   ♢ 快速关闭: –25 mV±4 mV

◆  超时后自动重试功能

◆  紧凑型封装: TSSOP16

04

电源模块

SY98110

15A 直流降压电源模块 

◆  宽输入电压: 4.5~16V

◆  恒定输出电流: 15A

◆  高输出电压精度

◆  瞬时PWM快速瞬态响应

◆  准0.6/0.8/1MHz可选开关频率

◆  UVP/UVLO/OTP/OVP

◆  OCP和SCP的打嗝模式

◆  预偏置电压启动

◆  通过EN调节输入欠压锁定

◆  可调软启动时间

◆  负载侧遥感

◆  电源良好指示

◆  紧凑型封装: QFN7x8-52

SY98106C

10A 直流降压电源模块

◆  宽输入电压: 4.5~13.5V

◆  输出电流: 10A

◆  可调输出电压: 0.6~6.5V

◆  高输出电压精度

◆  瞬时PWM快速瞬态响应

◆  准0.6/0.8/1MHz可选开关频率

◆  UVP/OVP/UVLO/OTP
◆  OCP和SCP的打嗝模式
◆  预偏置电压启动

◆  通过EN调节输入欠压锁定

◆  可编程输出限流

◆  可调软启动时间

◆  负载侧遥感

◆  电源良好指示

◆  紧凑型封装: QFN7×7-29

SY98103A

3A内置电感同步降压电源模块

◆  输入电压: 4.5~18V

◆  负载电流: 3A

◆  精度: ±1％ 0.6V

◆  准恒定频率: 1MHz

◆  瞬时PWM快速瞬态响应

◆  内部软启动限浪涌电流

◆  限流折返模式输出短路保护

◆  自动恢复的过温保护

◆  逐周期峰值限流

◆  输入欠压锁定

◆  紧凑型封装: QFN3×3-7

05

DC-DC

SQ29012/20

12A/20A高效同步降压稳压器

◆  宽输入电压范围:

    ♢ SQ29012: 2.7V/3.6~16V

    ♢ SQ29020: 2.9V/3.6~16V

◆  内部电源开关和同步整流器

◆  准确反馈设定点: 0.6V±1％

◆  差分遥感

◆  快速瞬态响应

◆  600/800/1000kHz工作频率

◆  可编程峰值限流

◆  自动恢复输入/输出欠压保护

◆  周期谷/峰值限流

◆  周期反向限流

◆  内部软启动限制浪涌电流

◆  欠压/过压电源正常监测

◆  紧凑型封装: QFN3x4-19

SQ20056/8

6A/8A高效同步降压稳压器

◆  宽输入电压范围: 4~23V

◆  瞬时PWM快速瞬态响应

◆  内部软启动限制浪涌电流

◆  准恒定频率：600kHz

◆  输出电流: 6A/8A

◆  PFM/PWM可选轻载运行模式

◆  可选旁路输入

◆  电源正常指示器

◆  输出放电功能

◆  输出限流/短路/过压保护

◆  输入欠压锁定

◆  自动恢复功能的过温保护

◆  符合RoHS标准且无卤素

◆  紧凑型封装: QFN3x3-20

SQ28956

同步降压DDR VTT转换器

◆  转换电压: 0.8~6V

◆  可调输出电压: 0.4~1.2V

◆  支持DDR

◆  高达6A的连续输出源/灌电流

◆  可选0.6/1MHz开关频率

◆  可选过流限制

◆  可选PFM / FCCM

◆  预偏置电压启动

◆  外部追踪

◆  非跟踪运行的内部软启动

◆  电源正常指示器

◆  过压/过温/欠压打嗝式保护

◆  符合RoHS标准且无卤素

◆  紧凑型封装: QFN3.5x4-20

◆  符合MSL-3标准

06

电流检测比较器

SQ52110

精确电流检测比较器

◆  宽共模电压范围：0~36V

◆  可选响应时间：10μs，50μs，100μs

◆  可编程阈值：

    ♢ 使用单个电阻进行调整 

    ♢ 可编程范围为0 mV至250 mV

◆  精度:

    ♢ ±500μV偏移电压(最大值) 

    ♢ 0.5μV/℃ 偏移漂移(最大值)

◆  可选迟滞：2mV，4mV，8mV

◆  有源静态电流：135μA（典型值）

◆  可选禁用模式

    ♢ 禁用静态电流：3.5μA (最大值)

    ♢ 禁用的输入偏置电流：500nA (最大值)

◆  具有锁存模式的漏极开路输出

07

复位芯片

SQ24370F

超小封装复位芯片

◆  可调电压阈值低至500mV

◆  阈值精度: 1％(全温范围）

◆  延迟电容可调

◆  低静态电流: 9μA(典型值）

◆  外置使能输入

◆  开漏输出电压(额定18V）

◆  温度范围: -40°C~125°C

◆  超小封装: DFN1.45x1.0-6

08

LDO

SQ24333

3A 快速响应 LDO稳压器

◆  输出电流: 全温度范围内3A

◆  满载3A@480mV低压差电压

◆  极快的瞬态响应

◆  零电流关断模式

◆  可调输出电压

◆  低接地电流

◆  限流/短路/过温保护

◆  紧凑型封装: TO263-5

SQ24335

推挽输出DDR终端稳压器

◆  支持2.5/3.3V供电轨

◆  VLDOIN电压: 1.1~3.5V

◆  包含压降补偿的推挽输出

      的DDR终端稳压器

◆  最小输出电容20µF

◆  输出电压建立指示

◆  带使能控制

◆  灵活的REFIN输入配置: 

    ♢ 直接输入

    ♢ 电阻分压输入

◆  输出电压远端采样(VOSNS)

◆  ±10mA 基准输出能力

◆  软启动/输入欠压/过流保护

◆  热关断保护

◆  支持DDR/DDR2/DDR3/DDR3L

     及低功耗DDR3/DDR4 VTT应用

◆  紧凑型封装: DFN3x3-10

SQ24301

超低压降1A LDO稳压器

◆  输入电压范围: 1.6~5.5V

◆  输出电压精度: ±5％

◆  输出电流: 1A

◆  低压差: 

    ♢ Typ.0.32V@IO=1A, VO=1.5V

    ♢ Typ.0.18V@ IO=1A, VO=2.8V

◆  限流/过热保护

◆  静态电流: 60μA

◆  输出自动放电功能

◆  符合RoHS标准且无卤素

◆  紧凑型封装: DFN3x3-6

09

ESD

SYS11U03

低电容静电保护器

◆  高速数据线的瞬态保护:

◆  IEC 61000-4-2(静电)±30kV

      IEC 61000-4-5(浪涌) 550W

◆  工作电压: -5~5V

◆  低电容: 0.6pF(典型值)

◆  低泄漏电流: 0.01μA@VRWM

◆  低钳位电压

◆  每个I/O管脚在±8kV的接触放电情况下可承受1000次静电冲击

SYS14L02

低电容静电保护器

◆  高速数据线瞬态保护

◆  IEC 61000-4-2(静电)±30kV

◆  IEC 61000-4-4(快速瞬时脉冲) 

      40A(5/50ns)

◆  IEC 61000-4-5(浪涌) 40A(8/20μs)

◆  具有针对高速线路优化的封装

◆  可对两条线进行保护

◆  低电容：3.0pF@0V(Typ.)

◆  低泄漏电流：0.1μA@VRWM(Typ.)

◆  低工作电压和钳位电压

◆  每个I/O管脚在±8kV的接触放电情况下可承受1000次静电冲击