SiC产业链 l 一张图

前序报告：

第三代半导体之SiC研究框架

受下游应用需求推动，全球第三代半导体材料、器件进入发展加速期，在新能源汽车、高速轨道交通、5G通信、光伏、消费电子等多种场景下均有广泛的应用空间。碳化硅作为第三代半导体产业发展的基石，因其优秀的物理性能，高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率等，未来将大量替代Si的应用市场。根据Yole数据显示，SiC功率器件市场规模将从2018年的4亿美元增加到2027年172亿美元，CAGR约51%。其中，SiC衬底材料市场规模将从2018年的1.21亿美元增长到2024年的11亿美元，CAGR达44%。

在此背景下，大量玩家纷纷布局SiC业务，从全球格局来看，SiC产业格局呈现美、欧、日三足鼎立的局面，其中美国一家独大。从产业链来看，SiC产业链可分为五个环节：分别是设备制造、衬底、外延、芯片设计制造与封测、应用。

设备制造领域：中国大陆企业主要有北方华创、中微公司、华峰测控、万业企业、芯源微、晶盛机电、天通吉成等；国际企业主要有美国的AMAT和拉姆研究等。

衬底领域：中国大陆方面，主要厂商有三安光电旗下子公司三安集成以及天科合达、山东天岳、德清州晶、中科钢研、神州科技、同光晶体、中电科二所、天通凯成等；国际方面，主要制造商有美国的Wolfspeed、道康宁、II-VI以及日本的昭和电工、Rohm等公司。

外延领域：国内的代表性企业包括三安集成、普兴电子、国盛电子、厦门瀚天天成、天科合达、南京白识、中电科13所（国联万众）、46所以及55所（国扬电子）、华大半导体、启迪控股和东莞天域半导体等；国外外延片企业主要有美国道康宁、II-VI、Wolfspeed、法国Nova、意大利ETC以及日本的昭和电工、Rohm等。

芯片设计制造与封测：国内的代表性企业主要有三安集成、闻泰科技、瑞能半导体、芯光润泽、士兰微、扬杰科技、美林电子、泰科天润、中车时代等；国外主要有Wolfspeed、Rohm、三菱电机、Microsemi、英飞凌、安森美、GeneSiC、 Littlefuse、东芝、 意法半导体、松下以及瑞萨电子等。此外，国内外现存部分公司聚焦于某一细分业务，如中国的斯达半导主要从事器件设计工作、海特高新主要从事器件制造，而中科封测、长电科技等公司则专注于器件封测。

应用领域：因SiC单晶棒生长速度低于Si单晶棒，且晶圆生长过程中易出现材料的基面位错导致良率较低，所以目前价格较高。新能源汽车因其超大市场规模成为SiC需求的主要拉动力，国内厂商主要有泰科天润、比亚迪、北汽新能源、北京精进电动；国外厂商主要有Powerex和丰田公司等。此外，国内的中车时代（动车、电力机车、城市轨道交通）、国家电网全球能源互联网研究院（电力系统）、北京科诺伟业（光伏、风电）、比特大陆（电源管理）都在不同领域有碳化硅的应用；国外方面，日本的三菱电机（电机控制、电源、白色家电）富士电机（中低压变频器、伺服系统）、美国的Microsemi（汽车、卫星、通讯及军用/航天）、GE（发电机、电气设备）、德国的英飞凌（智能电网、汽车电子、太阳能、风能）、瑞士的ABB（电力变压器和配电变压器）等公司均有碳化硅的应用业务。

风险提示：半导体周期下行；产品迭代速度较慢，下游应用普及进度不及预期；制造过程中核心设备和原材料遭到禁运，对生产造成不利影响。