美放松对华限制 英特尔大连厂用65纳米工艺

日前，英特尔大连工厂负责人科比・杰斐逊曾向外界透露，美国政府已经批准英特尔大连厂采用65纳米生产工艺。对此，上述发言人解释表示，美国政府的审批是英特尔大连工厂是否采用65纳米生产工艺的前提条件之一，但是由于目前工厂还在基础建设阶段，英特尔尚且无法确定到2010年工厂落成时的具体工艺。


她表示，英特尔在各地的晶圆厂都遵循统一的步骤安排。大连工厂亦是如此。她同时透露，大连工厂已走过某个关键的时间点，但目前尚不方便对外公布。


2007年3月，英特尔宣布投资25亿美元巨资在大连新建它位于亚洲的第一座晶圆制造厂。根据介绍，该晶圆厂投资总额达到25亿美元，总使用面积达16.3万平方米，内含1.5万平方米的无尘室，计划采用英特尔先进的纳米生产工艺，并配合全球主流的300毫米晶圆技术。


去年9月奠基时，英特尔曾宣布大连工厂将于2010年开始生产90纳米的晶圆。不过目前英特尔投向市场的最先进的量产工艺已经是45纳米。


此前，大连工厂建厂之初也曾遭到美国政府的严格审查，有分析认为，美国政府担心这会使战略性制造技术转移到中国，缩小美国在战略信息技术（IT）方面的领先优势。不过现在看来，美国这样的担心似乎显然有些多虑，甚至是会掣肘英特尔在中国的竞争。这是因为中国本土半导体厂商已经开始向45纳米制造技术进发。譬如，由中芯国际投资的国内首条45纳米芯片生产线已经宣布正式投产。中芯国际总裁张汝京曾透露，中芯国际已经计划在今年年底投产45纳米芯片，并引进了目前国内惟一一台浸润式光刻机。“有了它，我们就可以做45纳米芯片的量产。”张汝京说。


而到2010年英特尔大连工厂如果才只能生产90纳米芯片，显然不利于其在中国市场的竞争。“其实英特尔有深厚的技术储备，在实验室中，其已经把加工水平提高到惊人的32纳米。所以只有不断地把更先进的工艺带入中国这个其最重要的海外市场，才是其长远发展之计。”一位业内资深半导体分析师如是说。