专注于MRAM芯片研发，亘存科技完成数千万元Pre-A轮融资

据媒体昨日报道，专注于 MRAM 及相关产品设计开发的 Fabless 企业亘存科技，目前完成了由深圳高新投正轩基金领投，正轩投资、百度风投、老股东普华资本及陆石投资跟投的数千万元 Pre-A 轮融资。本轮融资主要用于芯片优化、迭代以及团队扩充。

亘存科技成立于 2019 年，总部位于深圳，在上海和法国格勒诺布尔设有子公司和研发中心，是国内唯一一家基于 MRAM 技术进行芯片设计开发和销售的创业公司。

此前， 2019 年 8 月亘存科技获得天使轮融资。 2020 年完成产业链闭环建设，打通了上下游各关键环节，并获得数家来自国内外客户的合作订单和营收，涉及技术涵盖 STT-MRAM 和 SOT-MRAM 等。2021年亘存科技收获一款定制芯片的独家订单，而且客户在此基础上很快追加了第二款定制产品。

MRAM 技术从 1990 年代开始发展，具有非易失性、高速读写、高密度、低工作电压和优异的可微缩性等优势。

具体来说，MRAM芯片中的数据是由磁存储元件存储。这些元素是由两块铁磁板组成的，两块铁磁板之间隔着一层薄薄的绝缘层，每一块铁磁板都能保持磁化。这种结构被称为磁隧道结(MTJ)。两块极板中的一块是在制造期间被设置为特定极性的永磁体;另一块板的磁化率可以随存储的数据进行改变。MRAM就是利用这种磁态的变化进行数据存储。由于在两种状态之间切换磁极化不需要原子的运动，因此MRAM器件没有磨损机制。

非易失性MRAM具有成为通用存储器的潜力，能够将存储存储器的密度与SRAM存储器的速度结合在一起并同时始终保持非易失性和高能效。MRAM存储芯片可以抵抗高辐射及可以在极端温度条件下运行并且可以防篡改。

最初MRAM主要作为高可靠性独立存储器应用于航空、航天等特种领域。2019 年随着几家头部厂商 MRAM 代工环境成熟，该技术开始进入工业、汽车、物联网和消费类等更加广阔的领域。

除了面向独立式存储器应用， MRAM 还可作为28nm及以下工艺节点SoC、MCU等芯片内的嵌入式非易失性存储模块，并进一步衍生出新的应用，比如基于 MRAM 的近存、存内计算等。谈到和其他成熟存储及新型存储技术地对比，亘存科技总经理郭玮认为，各存储技术都有各自的特点，这些技术会长期共存，而不是非他即我。

市场方面，境外市场对 MRAM 地投入远早于境内市场，境内市场的发展主要是从 2014 年前后开始。郭玮告诉 36氪：“现在回过头看，境外 MRAM 公司起步早并不见得是一个优势，过早的重资产投入、制备工艺不成熟、对标技术地持续优化、应用侧没有准备好、产品无法落地，导致最早一批的 MRAM 公司发展大多都不顺利。亘存科技选择在 2019 年这个时间节点切入市场，并把重点放在芯片产品地设计和应用侧地开发上，正是因为团队认为经过长期地积累，时机已经成熟。面向数百亿规模的潜在市场，我们致力于同产业链上下游合作伙伴一起，共同推进以 MRAM 为中心的生态系统的发展与完善，努力做到后发而先至。”

产品方面，亘存科技副总经理何帆告诉 36氪：“公司目前正在开发已成功流片的一款芯片，首次集成了超过 200 Mb 的 MRAM ，改进了目前方案的集成度和整体功耗，同时降低了系统 BOM 成本，提升了可靠性，该款产品目前正在等待送样测试。此外，公司还有两款客户定制的芯片已经流片并计划明年量产。此外，公司还有两个基于MRAM的近存、存内计算的在研项目。”

团队方面，亘存科技的核心成员自 2004 年起便深耕于 MRAM 相关领域，平均拥有超20年集成电路领域工作经验，在国内外知名芯片企业具有丰富的设计研发和管理经验，参与研发的芯片产品累计出货量达到数十亿颗，在 MRAM 领域具有扎实、丰富的 know-how 积累和创业经验。亘存科技总经理郭玮曾于 2014 年创立国内第一家 MRAM 芯片设计企业，主持完成了国内第一颗 MRAM 测试芯片地全流程开发。现有团队中技术人员占比超过 90%，其中超过 30%拥有博士学位。