英特尔、美光推3D XPoint存储技术 三星、SK海力士紧张

　　英特尔（Intel）与美光（Micron）日前发表速度比NAND Flash快1，000倍的3D XPoint存储器技术，并宣布将在2016年中开始量产，在存储器半导体业界投下震撼弹。

　　据韩国经济报导，英特尔与美光称3D XPoint技术为存储器技术的大突破，是自1989年NAND Flash推出后，25年来的第一个全新存储器类别。美光总裁Mark Adams表示，这项技术将在NAND Flash与DRAM合计785亿美元规模的存储器芯片市场，引发破坏性的革命。

　　3D XPoint存储器芯片与NAND Flash同属于非挥发性存储器，意即在装置电源关闭的情况下，仍能保存记忆内容。但3D XPoint速度比NAND Flash快1，000倍，寿命也比NAND Flash更持久。

　　英特尔与美光经过10年研发，终于透过特殊材料找出解决方案。应用3D XPoint技术的存储器芯片，可在庞大数据中找出固定模式，能应用在语音辨识、探测金融诈欺模式，以及遗传基因研究等领域。

　　据市调机构IDC调查，2013年全球产出的资料量为4ZB，而预估到了2020年将成长10倍以上达44ZB。英特尔研究员Charles Brown在进行技术简介时表示，资料用量与日具增，市场也愈来愈渴求超越DRAM与NAND的新存储器半导体能够问世。

　　另一方面，全球存储器半导体市场前两大业者三星电子（Samsung Electronics）与SK海力士（SK Hynix）也正在开发电阻式存储器（Resistive Random-Access Memory；RRAM）等类似的非挥发性存储器，据了解目前还没达到能便宜量产的阶段，加入下一代半导体市场战局的时机恐怕要等到2018年以后，也因此对于新技术的公开更加紧张。

　　目前美光虽然在存储器半导体市场上排名第三，却可能靠着新材料技术的开发在短期内逆转局势。业界人士表示，因为美光并非单打独斗，而是与世界第一大系统半导体业者组成联军，也让其他业者的压力更为沉重。

　　若三星与SK海力士来不及推出足以匹敌的新技术，未来市场主导权就会落在对方手上，就看英特尔与美光能够多快让下一代半导体普及市场？产品单价又能够压到多低？

　　英特尔有关人士特别强调，3D XPoint技术已经完成量产准备，而非刚开始研发而已。2015年将提供样品给客户企业，2016年就会在美国犹他工厂开始量产。南韩业界人士表示，若真的从2016年开始量产并供应产品，势必会对南韩业者产生一定程度的打击。