后发能否先至？“中国芯”闪存现状解读

闪存作为手机与电脑的存储介质，它就像粮食一样不可或缺。近来闪存货源紧缺，让众多内存与固态价格一路高歌。而目前多数的闪存资源都掌握在国际大厂手中，让人不禁感叹：属于中国闪存的“中国芯”在哪？

目前NAND闪存主要被三星、SK Hynix、美光、东芝等少数公司垄断，然而随着物联网需求的发展，存储芯片更成为电子行业的刚需。

中国也积极接入存储产业，整合上游厂商发展出具中国自有技术并联合中、下游的产业，形成群聚效应，进而推进中国半导体产业的进一步成长。

目前发展最快的，是紫光主导的长江存储科技在武汉投资240亿美元建设国家存储芯片基地，他们的主要产品就是国产3D NAND闪存。来自中科院的消息称，长江存储研发的3D NAND闪存已经取得标志性进展，堆栈层数达到了32层。

相比国际大厂的研发进度，三星、美光和东芝都开始向72层及以上的研发加快步伐，国内的研发进程还有一定距离。

不过，3D闪存工厂的生产装备将在2018年Q1季度完成安装，2019年则会完全量产。目标是在2020年时技术上达到国际领先的存储芯片供应商的水平，实现存储芯片的后发先至。

中国市场消耗了全球55%的存储芯片产能，而国家存储芯片基地更是在万众瞩目下迅速壮大。在强大的市场需求及中国政府的财政支持下，我们希望能早日看到“中国芯”的产品出现在世界的舞台。