Hynix成功开发出20nm制程64Gbit密度MLC NAND闪存芯片

Hynix半导体公司在近日举办的2011VLSI研讨上宣布成功研发出了20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片，Hynix称这款产品是业内首款基于20nm制程的大容量MLC NAND闪存芯片。

据Hynix透露，成功实现大容量MLC NAND芯片20nm制程化的关键在于air-gap技术的应用，这种技术与逻辑芯片互连层用low-k电介质上应用的air-gap技术非常类似，可以减小字线间(简单说就是NAND各控制栅极的连线)的相互干扰。通过采用尺寸较大的air gap结构，Hynix成功将闪存芯片中的信号干扰降低到了较小的水平。

据Hynix介绍，airgap减小线路间干扰的效果还与airgap的形状和所处的位置(在芯片中的高度)有很大的关联。因此，Hynix选用了方形或椭圆形状的airgap，并且模拟了分别采用这两种不同形状的airgap在处于不同高度位置(指airgap结构下部到浮栅下端的距离在0-200埃之间变化)时的降噪作用变化，最后，他们发现采用方形airgap，并且与浮栅下端的高度差为0埃时的降噪效果最好。

另外，Hynix还透露其制作这种20nm制程64Gbit 多位元型(MLC)NAND闪存芯片时，字线及位线(简单说就是连接NAND晶体管漏极的金属线)采用的光刻技术是193nm波长ArF光源液浸式光刻系统+自对准式双重成像技术(原文为spacer patterning technology，其实就是人们常说的SADP技术的另一种叫法而已)。