三星宣布3nm芯片成功流片，规模化量产时间节点临近

6月29日消息，据外媒报道，三星宣布，3nm制程技术已经正式流片。据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。

报道称，三星在3nm制程的流片进度是与新思科技合作完成的，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。因为三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构，而是采用GAA的结构。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。