【60秒半导体新闻】挑战EUV光刻：NIL靠谱吗？一文秒懂/222.3万台 中国已建成全球最大充电网络

（快科技）当前，中国已经是全球最大的新能源汽车市场，今年新能源1-9月销售215.7万辆，同比增长1.9倍，占新车销量比重达到11.6%，9月份销量再次刷新单月历史纪录。

伴随着新能源汽车保有量的增长，我国的充电设施网络也逐步更为密集完善。

中国电动汽车充电基础设施促进联盟最新数据显示，截至9月，全国充电基础设施累计达222.3万台，同比增长56.8%。我国已建成全球最大规模充电设施网络。

联盟数据显示，前9月公共充电桩新增23.7万台，增量同比上涨164.5%。截至9月底，已建成104.4万台，同比增长72.3%。

超200万台充电桩的建成，背后私人充电桩的大幅增长。随着新能源汽车市场渗透率超过10%，在政策支持和多方共同努力下，截至9月底，我国随车配建私人充电桩已达102.4万台，增量同比上升178.5%。

与此同时，换电网络也再同步成形。从今年下半年开始，工信部与国家能源局联合在全国范围内开展新能源汽车换电模式应用试点。在相关政策推动下，我国换电站数量快速增长，由2020年末的555座提升至今年9月底的890座。

要闻2：挑战EUV光刻：NIL靠谱吗？一文秒懂

（半导体行业观察）由于EUV设备太过昂贵，且生产难度很高，近些年，业界一直在寻找其它办法，不用EUV光刻机，能不能生产7nm及以下的芯片？

事实上，也有厂商是这么想并打算这么干的，因为通过DUV光刻机进行多重曝光，理论上也能达到7nm。但这种办法非常复杂，对技术要求非常高，同时良率低，晶圆的损耗比较大，所以如果能够买到EUV光刻机，就不可能用这种办法，这种办法生产出来的芯片，完全没有市场竞争力。

纳米压印光刻 (NIL)、定向自组装 (DSA) 和等离子激光等技术被认为是EUV的替代品。

NIL 是一种将纳米图案印章转移到晶圆上的方法，就像它被涂漆一样。它被提出作为一种绘制 32nm 以下电路的方法。它比 EUV 更经济，因为它不使用镜头。

佳能等厂商在 EUV 研发如火如荼的时候就开始开发 NIL。DSA是一种通过将具有不同特性的聚合物合成为单个分子，将其涂覆在晶圆上并加热来获得精细图案的技术。由于不使用掩模，可以减少工艺数量，从而可以降低成本。

然而，就所使用的技术而言，它不如 NIL。此外，无掩模等离子激光纳米技术被认为是一种替代方案，因为它具有自由改变电路图案的能力。然而，它仍达不到 EUV的效果。

图：EUV与NIL的对比

据Yole统计，NIL设备复合年增长率将超过 20%，到 2024 年生产的年收入将达到约 1.45 亿美元。

目前，NIL主要用于增强现实、3D传感和数据通信/电信中需要严格和复杂模式的光学光子元件。同时，NIL工艺也引起了存储器厂商的兴趣，特别是20nm以下先进制程，目前的光刻方案成本太高。

因此，对于下一代 3D NAND 存储器，NIL是非常有竞争力的成本效益选择。

NIL 供应商在每个特征尺寸范围内都有一个明显的领导者。在纳米范围内，EVG 占主导地位，尤其是在衍射光学元件 (DOE) 中。SUSS MicroTec 在微尺度范围内占据了强大的市场份额。

下面看一下NIL的技术细节。

一般情况下，NIL使用电子束刻蚀等手段，在衬底上加工出所需要的结构作为模板。由于电子的衍射极限远小于光子，因此可以达到远高于光刻的分辨率。

NIL制造设备利用图案化技术，涉及现场/逐场/单次沉积和通过喷射技术沉积到基板上的低粘度抗蚀剂的曝光。带图案的掩模下降到流体中，然后通过毛细作用迅速流入掩模中的浮雕图案。在此填充步骤之后，抗蚀剂在紫外线辐射下交联，然后去除掩模，在基板上留下图案化抗蚀剂。

与EUV光刻设备产生的图案相比，NIL以更高的分辨率和更高的均匀性忠实地再现图案。此外，由于这项技术不需要先进光刻设备所需的一系列宽直径镜头和昂贵的光源，NIL 设备实现了更简单、更紧凑的设计，允许将多个单元聚集在一起，以提高生产力。

研究已经证明 NIL 分辨率优于 10nm，使该技术适用于使用单个掩模打印几代关键内存级别。

此外，仅在必要时才使用抗蚀剂，从而消除材料浪费。鉴于压印系统中没有复杂的光学器件，当与简单的单级处理和零浪费相结合时，工具成本的降低使其成本模型非常适用于半导体存储器应用。DRAM 和相变存储器等高级存储器具有挑战性，因为这些设备的路线图要求持续缩放，达到14nm，甚至更先进制程。

缩放也会影响覆盖预算。例如，对于 DRAM，某些关键层上的叠加比 NAND 闪存紧密得多，误差预算为最小半间距的 15-20%。

对于 14nm，这意味着 2.1nm - 2.8nm。DRAM 器件设计也具有挑战性，并且布局并不总是有利于间距划分方法，例如自对准双图案化 (SADP) 和自对准四重图案化 (SAQP)。这使得直接印刷工艺NIL成为一种很有竞争力的解决方案。

NIL的进展

日本存储器大厂铠侠（Kioxia）与佳能，以及光罩/半导体厂商大日本印刷株式会社（DNP），经过了4年的研发，于近期研发出了NIL的量产技术。

目前，铠侠已将其应用到了15nm的NAND闪存制造上，并表示到2025年应该可以应用到5nm的芯片制造上。

铠侠表示，NIL 技术与EUV光刻技术相比，可以大幅度的减少能耗，转化效率高，耗电量可压低至EUV 技术的10%，同时，NIL设备也很便宜，投资可降低至EUV光刻机的40%。

有专业人士指出，NIL技术也许能够推进芯片制程至5nm，但可能更适应于NAND这种3D堆叠的闪存芯片，不一定适用于所有芯片。合作厂商之一的佳能，则表示要努力将NIL 量产技术广泛应用于制造DRAM 及PC 用的CPU 等逻辑芯片的设备上。

以云为主导、以数据为中心的跨国软件公司NetApp 宣布，通过与三家全球超大型公共云合作，公司将继续保持增长势头，帮助组织机构以更低的成本充分发挥云计算优势。  

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早在今年2月，一份投资者报告显示，摩托罗拉品牌智能手表正在开发。现在看来，这款Moto Watch 100智能手表很快就会发布。加拿大公司"eBuyNow"在与联想旗下的摩托罗拉达成授权协议后，于2020年初发布了第三代Moto 360。

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就在当下不少模组厂商纷纷为DDR5内存产品上市宣传造势时，今天（10月25日），金泰克正式对外发售速虎T4 DDR5内存，更高的配置、更快的速度、更加省电的功耗，相信值得你拥有。

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