高压差分探头在GaN材料MOSFET管测试的应用

GaN材料主要应用于偏低压应用例如800V以下的应用，像高功率密度DC/DC电源的40V-200V增强性高电子迁移率异质节晶体管（HEMT）和600V HEMT混合串联开关。当然现在也有800V以上的一些应用也是用GaN材料的。在这些应用中需要选用高压差分探头进行测试。

SiC材料主要偏向高压的应用。因其具有承受高温（300℃左右温度是没有问题的）的特点主要应用场景是在汽车和光伏逆变器等领域。这些器件的应用会对整个电源系统有很大的改进。

综上所诉，针对宽禁带材料功率器件的测试，我们需要的是包括示波器、示波器探头以及测试软件的一套完整的测试系统。其中，对示波器探头的具体要求如下：

（1）电气性能符合要求-带宽、输入电压范围(单端还是差分)、低噪声、高输入阻抗以及高共模抑制比；

（2）探头前端满足规范要求；

（3）探头易用性；

（4）探头有没有过载保护；

（5）温度范围满足规范要求，例如汽车测试需要在85℃左右；

（6）高共模抑制比，防止共模信号对输出有影响；

对于电源工程师来说，除了器件本身的测试之外，更关注器件在电路板中的性能，例如器件在工作过程中Vds电压以及损耗。器件损耗的原因主要有两个方面：（1）耐压击穿；（2）损耗。在测试过程中需要注意的几个问题是：

器件损耗测试注意的问题

DP0001A 是一款 400 MHz 高压差分探头，专为进行精确的高压功率测量而设。

DP0001A 具有 2 kV 主电源隔离度或 1 kV CAT III 额定工作电压，可以满足当今 WBG 电力设备测试、功率转换器或电机驱动器的测试需求。

DP0001A 探头的特点是带宽高、负载效应低。因此可以精确测量现代开关电源中边沿速度（10％-90％）最快达 1.2 ns 的 1kV 瞬态脉冲。

DP0001A 探头其共模抑制比（CMRR）超过 90 dB，能够显著简化噪声较大的高共模功率电子环境所面临的测量难题。

相比传统的IGBT，高压硅基MOSFET等，SiC和GaN宽禁带功率器件具有更快的开关速度，因此也需要更高的测试带宽。

DP0001A高压差分探头能够以400MHz的带宽提供2KV的测试电压范围，很好的解决了宽禁带功率器件带来的测试挑战。