RFMD® 推出高度集成的 WCDMA/HSDPA 功率放大器以扩展其3G产品系列

    设计与制造高性能半导体元件的全球领导厂商 RF Micro Devices， Inc.宣布，在其第四届年度分析师日 (Analyst Day)，将推出两款新型 WCDMA/HSDPA 功率放大器 (PA) – RF3267 和 RF6266，从而扩展其在公开市场上的 3G 前沿产品系列。新推出的高度集成 WCDMA/HSDPA 功率放大器旨在支持下一代多频段、多模式 3G 手机和智能电话的关键需求。根据当前客户预测和设计活动，RFMD 预计 RF3267 和 RF6266 将在本季开始批量发货。 

    RFMD 的 RF3267 是 1 频段（1920 至 1980 MHz）、具有数控低功率模式的WCDMA/HSDPA 功率放大器，允许高达 19dBm 工作，降低了电流消耗。RF3267 具有集成的耦合器，从而手机设计人员无需象以往一样在功率放大器的输出端放置外置耦合器。在不增加行业领先的 3x3x0.9 mm 封装尺寸的情况下，即可实现额外功能的整合，这是跟随上一代功率放大器 (RF3266) 的成功而首次推出。通过保持与获得巨大成功的上一代功率放大器引脚对引脚兼容，RFMD 的 RF3267 有助于手机原始设备制造商 (OEM) 寻求压缩手机射频部分，以支持更小、更薄的设备。 

    RFMD 的 RF6266 WCDMA/HSDPA 功率放大器采用小型 3x3x0.9 mm 封装，具有与 RF3267 类似的功能集，可在 5 频段（824 至 849 MHz）或 8 频段（880 至 915 MHz）下工作。RF3267 和 RF6266 结合使用，可为多频段、多模式、面向北美或欧盟 (EU) 市场的 3G 手机设计提供紧凑型解决方案。 

    由于公司向公开市场推出创新的手机前沿标准产品，以及日益复杂的 3G 多模式手机需要更多部件（包括双工器、滤波器和前沿电源管理），这使得 RFMD 的 3G 收入增加。全球大多数手机制造商运用标准产品满足其手机前沿需求，RFMD 预期将在 2009 年历年向公开市场推出大量的手机射频标准产品。 

    凭借领先的产品系列、制造规模、系统级专业技能以及封装与组装能力，RFMD 在 3G 前沿领域堪称业界领先者，并在 3G 手机设计活动方面表现出色，所有这些优势可使 RFMD 最大程度降低复杂性，减少元件数，以及优化多频段、多模式 WCDMA/HSPA 手机与智能电话的射频设计。