Vishay 推出第五代肖特基二极管，确立业界新标准

    采用次微米沟槽技术的新型器件采用 D-Pak 封装，具有达 +175 °C 最大结温、6 A 至 20 A额定电流范围、小于 0.54 V 的超低典型正向压降和低至 3 mA 的反向漏电流

    日前，Vishay Intertechnology， Inc.推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二极管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件将 D-Pak 的电流能力扩展至高达 20 A，从而确定了业界的新标准。这些器件采用次微米沟槽技术，适合用作高效率、高密度解决方案的独立封装，以及 D2-Pak 封装的低成本小型替代品。RBSOA 可实现紧凑、低成本设计。 

    6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 具有达 +175°C 的最大结温、超低正向压降和低反向漏电流，确保设计人员可增加汽车、太阳能和其他高温应用中的功率密度。四款器件均可提供 I-Pak 版本。 

    日前发布的肖特基二极管在 6 A 和 20 A、+125°C 时最大典型正向压降低于 0.54 V（对于 45 V 器件），在 10 A 和 20 A 时最大典型正向压降低于 0.65 V（对于 100 V 器件）。45 V 二极管在 +125°C 时反向漏电流为 3 mA 和 7 mA，而100 V 二极管为 4 mA，且参数分布非常紧凑。这些器件提供优化的 VF 与 IR 权衡，可实现更高的系统效率。 

    这些二极管已为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、电池反接保护、续流、直流到直流模块及太阳能光伏发电旁路二极管应用进行了优化。典型的最终产品包括高功率密度 SMPS；台式电脑适配器；服务器；消费性电子产品，如 PDP、LCD 及高效音频系统；及笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器等移动电子产品。这些二极管符合针对汽车驱动和控制装置的 AEC-Q101 标准。 

    45 V 和 100 V 器件分别具有 57 V 和 118 V 的典型稳定高击穿电压，可适应电压峰值并优化功率密度，在这些二极管中，功率密度均增加了 25%。这些器件坚固耐用，其抗反向雪崩能力提高了 30%，雪崩时元件可获得完全屏蔽，且开关损耗极小。 

   器件规格表：

    目前，新型肖特基二极管可提供样品，并已实现量产，大宗订单的供货周期为 6 至 8 周。