飞兆半导体推出具竞争力的双管反激式解决方案

摘要：  一体型 (All-In-One， AIO) 应用设备电源的设计人员一直面对对空间有限、满足世界各地能源法规要求，以及提供易于设计之解决方案的挑战。

关键字：  半导体，  器件，  拓扑，  封装，  能源

一体型 (All-In-One， AIO) 应用设备电源的设计人员一直面对对空间有限、满足世界各地能源法规要求，以及提供易于设计之解决方案的挑战。

为了应对这些挑战，全球领先的高性能功率和移动产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 推出一款采用mWSaver™技术的双管反激式解决方案。

用于AIO设备的传统电源拓扑解决方案包括LLC和单开关准谐振 (QR) 反激式拓扑。要在易于设计性、不同负载水平的功率损耗，以及效率三方面取得平衡时，每种拓扑都各有其优劣之处。对于AIO设备的功率范围，LLC提供最佳的总体效率，优于双管QR和单开关QR反激式转换器。不过，由于LLC变压器的设计很难，因此在三种拓扑中具有最高的轻负载功耗。单开关QR反激式转换器的效率最低，但是它们易于设计且在轻负载下具有低功耗。

飞兆半导体的双管QR反激式拓扑和次级端同步整流方案是用于AIO应用设备的理想解决方案，能够提供良好的总体效率，降低轻负载功耗，而且易于设计。

飞兆半导体提供的AIO解决方案非常适合75W~230W功率范围应用，包括FAN6920MR集成式临界导通模式PFC和准谐振电流模式PWM控制器产品;FAN7382栅极驱动器;以及用于反激式拓扑和正激续流整流的FAN6204次级端同步整流(SR)控制器。而且，这些器件都具有同级最佳的无/轻负载功耗，能够实现达到2013 ErP标准的设计，并可省去LLC解决方案所需的附加电路。

此外，这些器件采用了mWSaver™技术，可为AIO解决方案提供最低的待机输入功率。准谐振控制技术既能够减少缓冲器和泄漏电感的损耗，同时也可改进散热性能。此外，它更降低了SR MOSFET的Vds以提高效率，并实现更小的电路板尺寸。其内置两级电平PFC输出提升了低压输入的效率。

飞兆半导体增添高端和低端栅极驱动IC产品FAN7382，能够驱动电压高达600V的高压MOSFET器件，大大丰富了公司的产品系列。该器件可在高dv/dt噪声环境下实现高端驱动器的稳定运作。

FAN6920MR结合了一个功率因数校正 (PFC) 控制器和一个准谐振PWM控制器，实现了使用更少外部组件的高成本效益设计。在PFC部分，该器件使用受控导通时间技术以提供稳定的直流输出电压，实现正常的功率因数校正。FAN6920MR使用了创新的总体谐波失真 (THD) 优化器，通过减小过零期间的输入电流失真来改善THD性能。在PWM控制部分，FAN6920MR提供了数项功能以提高电源系统性能，其中包括：能够降低开关频率的最多第12个谷底周期的扩展谷底检测功能、更高的轻负载效率、绿色工作模式、内部10ms软启动和高/低线路超功率补偿功能。

飞兆半导体FAN6204器件采用专有的线性预测时序控制技术，不受限于SR MOSFET的导通阻抗RDS(ON)，适合于固定频率或准谐振 (QR) 反激式转换器，以及不连续 (DCM) 或连续导通模式 (CCM) 运作。这项技术包含无电流检测电路的简单控制方法，能够提供更好的抗噪能力。该器件采用PWM频率跟踪和次级端绕组电压检测技术，可在固定频率和可变频率系统中工作，因而适用于反激式和正激续流拓扑。FAN6204还具有电流超低的绿色工作模式 (典型值1.1mA)，这种内部绿色模式可以提供更低的空载功耗和更高的轻载效率。

FAN7382能够驱动飞兆半导体的超级结SupreMOS® 和SuperFET® MOSFET器件，其高压 (高达600V)工艺和共模噪声消除技术在高dv/dt噪声环境下实现了稳定的运作。该器件具备先进的电平转换电路，允许高端栅极驱动器工作于波动高达-9.8 V (典型值) (@VBS = 15V)的负VS范围。输入逻辑电平兼容标准TTL系列逻辑栅极，两个通道上的欠压锁定(UVLO)电路可在VCC和VBS低于特定阈值电压的情况下防止出现故障。

飞兆半导体通过先进的硅技术和封装选项来提供较小的尺寸和更高的性能，推动工程师实现设计创新。这些用于AIO PC应用设备的双开关反激式解决方案采用mWSaver™技术，可让工程师满足现今严苛的节能和性能要求。