格罗方德将于2015年推出10纳米

摘要：  格罗方德表示2015年推出10纳米，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。

关键字：  格罗方德，半导体

格罗方德表示2015年推出10纳米，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。

晶圆代工厂格罗方德(Globalfoundries)技术长苏比(SubiKengeri)日前至台，喊出两年内将拿下晶圆代工技术龙头，继14纳米XM明年量产，10纳米2015年推出，此进度比台积电领先两年，也比英特尔2016年投入研发还领先一年。

格罗方德2009年由美商超微独立而出，2010年并购前特许半导体，苏比表示，2009年刚独立时，公司仅是全球第四大晶圆代工厂，但凭着超微在处理器技术的设计能力，加上先前新加坡特许半导体在晶圆代工服务客户经验，ICInsights统计，2012年公司跃进晶圆二哥，与台积电同列晶圆双雄。

公司企图不只于此，苏比看好行动装置电子产品内建芯片对晶圆先进制程的需求有高度成长，2011年到2016年，40纳米以下先进制程的晶圆复合成长率有37%，到2016年产值将占全球晶圆代工比重高达60%。

为了抢攻这波移动商机，格罗方德去年推出14纳米XM制程、2014年量产后，10纳米2015年量产，两种制程都导入鳍式晶体管(Finfet)。

格罗方德的10纳米与14纳米XM都是所谓的混合制程，例如14纳米就是采用20纳米的设备与设计工具做出线宽14纳米的芯片，10纳米就是运用14纳米的设备与设计工具，制造线宽约当10纳米的芯片。

相较于台积电不做14纳米制程，而是推出16纳米Finfet，苏比说明，公司之所以作14纳米，因为英特尔不断进军行动市场，公司的客户感受到压力。

格罗方德预计20纳米下半年推出，与台积电几乎同步，公司12寸产能有德国德勒斯登的晶圆一厂(Fab1)与纽约八厂(Fab8)，各有4万片与6万片月产能，其中，Fab8将导入28纳米以下最先进制程。