Fairchild推出800V SuperFET II MOSFET系列

全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild (NASDAQ: FCS)今日推出 800V SuperFET® II MOSFET 系列，该系列提供广泛的可选封装并拥有业内最低的导通电阻(Rdson) 和输出电容 (Coss)。新系列帮助设计师提高高性能解决方案(需要 600V/650V 以上的击穿电压)的效率、成本效益和可靠性，同时通过减少元件的使用从而减少这些设计的电路板空间。

800V SuperFET II MOSFET 系列的最佳可靠性，加上出色的效率和热特性，使其成为各种应用的理想之选。同时，多种可选封装为设计师带来巨大的灵活性，在尺寸受限的设计中尤为如此。该系列的关键应用包括 LED 照明、LED 电视和家庭影院音响设备的电源、电源适配器、服务器、工业电源和辅助电源及微型太阳能逆变器。

“借助 Fairchild 的全新 800V SuperFET II MOSFET 系列，制造商可提高产品的效率和可靠性。由于优越的开关性能和低导通电阻，此系列的效率明显优于最接近的竞争产品，”Fairchild 的首席技术市场工程师Wonhwa Lee 说。“新系列采用最新的超级结技术，实现小形状因数及更胜以往的高效率，其耐用的内置二极管在高 dv/dt条件下可提高工业桥式电路的可靠性。”

Fairchild最新的SuperFET II MOSFET 系列由Rdson范围为 4.3 欧姆至业内最低 60 毫欧的26个器件(均以各种标准封装提供)组成，为设计师在针对特定应用采用最佳器件中提供更多选择和灵活性。例如，FCD850N80Z 是该系列的主要成员，将 DPAK 中异常低的850 毫欧Rdson(最大值)与比主要竞争产品低 6~11% 的Rdson(最大值)和低8~13% 的Coss (@400V)相结合，使其成为需要低导通电阻和尺寸受限的 LED 照明应用的理想之选。

Fairchild 800V SuperFET II MOSFET 的成员包括：

Rdson
(最大值)
[mΩ]TO-247D2-pakTO-220TO-220FD-pak
(TO-252)I-pak
(TO-251)4,300   FCPF4300N80Z FCU4300N80Z3,400    FCD3400N80Z*FCU3400N80Z*2,250   FCPF2250N80ZFCD2250N80ZFCU2250N80Z1,300   FCPF1300N80Z
FCPF1300N80ZYD*FCD1300N80Z 850  FCP850N80Z*FCPF850N80ZFCD850N80ZFCU850N80Z650  FCP650N80Z*FCPF650N80Z  400  FCP400N80Z*FCPF400N80Z
FCPF400N80ZL1**  290 FCB290N80*FCP290N80*FCPF290N80*  220  FCP220N80*FCPF220N80*  85FCH085N80_F155*     60FCH060N80_F155*     

(*: 开发中)