Altera与Northwest联合开发RLDRAM 3存储器接口解决方案

Altera公司与FPGA高性能知识产权(IP)内核领先供应商Northwest Logic今天宣布，开始提供硬件成熟的1,600 Mbps低延时DRAM (RLDRAM®) 3存储器接口解决方案，可用于其高端28 nm Stratix® V FPGA。RLDRAM 3存储器接口结合了Altera的自动校准RLDRAM 3 UniPHY IP以及Northwest Logic的全功能RLDRAM 3控制器内核，显著简化高端网络应用中RLDRAM 3存储器和FPGA之间的接口设计，同时提高存储器吞吐量。联合开发的RLDRAM 3存储器接口解决方案在客户设计中经过硬件验证，客户设计使用Micron公司的RLDRAM 3存储器。

Altera®的Stratix V系列FPGA经过优化，支持Micron的下一代RLDRAM 3存储器。Stratix V器件采用的存储器体系结构降低延时，高效实现了FPGA业界最好的系统性能。Stratix V FPGA支持网络设备生产商在互联网上迅速高效的传送视频、语音和数据。

Micron的DRAM市场副总裁Robert Feurle评论说：“FPGA为我们的客户提供了高效的手段来优化他们的网络产品，以支持不断增长的数据量，跟上网络基础设施的变化。Altera的高端Stratix V FPGA与RLDRAM 3存储器相集成，其高端性能满足了我们网络客户日益增长的存储器要求。”

Northwest Logic的RLDRAM 3控制器内核与Altera的UniPHY IP相结合，提供了完整的RLDRAM 3解决方案，包括高效的BL=2运算，减少由于工作在四分之一时钟速率时出现的时序收敛问题，并支持多种RLDRAM 3存储器配置。

Northwest Logic总裁Brian Daellenbach说：“与Altera的密切合作保证我们交付成熟可靠的解决方案，这样，我们共同的客户能够以最小投入迅速实现他们的系统。使用这一RLDRAM 3控制器内核，高端网络应用开发人员获得速度高达1,600 Mbps的高性能、低延时解决方案。”

Altera元器件产品市场资深总监Patrick Dorsey评论说：“Stratix V FPGA具有很好的RLDRAM 3接口，极大的增强了高端系统的延时和性能。我们的高性能Stratix V FPGA结合这一RLDRAM 3控制器内核，使我们能够面向当今的高性能网络应用提供最高效的解决方案。”

供货信息

RLDRAM 3存储器接口解决方案可以用于Altera的高性能Stratix V FPGA中。由Northwest Logic提供RLDRAM 3控制器内核以及全面的支持。