IR为低功率应用推出双PQFN2x2 和双PQFN3.3x3.3功率MO

全球功率半导体和管理方案领导厂商国际整流器公司(International Rectifier，简称IR) 扩展其PQFN封装系列，推出PQFN 2mm x 2mm和PQFN 3.3mm x 3.3mm封装。新型封装集成了两个采用IR最新硅技术的HEXFET®MOSFET，为低功率应用提供高密度、低成本的解决方案，这些应用包括智能手机、平板电脑、摄像机、数码相机、直流电动机、无线感应充电器、笔记本电脑、服务器、网通设备等。

新款PQFN2x2和PQFN3.3x3.3双器件在每一个封装上都配备了一对功率MOSFET，提供共汲极和半桥拓扑的灵活性。这些器件利用IR最新的低压硅技术(N和P) 来实现超低损耗。例如，IRLHS6276在只有4 mm2的范围内，配备了两个典型导通电阻(RDS(on)) 均为33mΩ的MOSFET。

IR亚太区销售副总裁潘大伟表示：“新型PQFN双器件适用于开关和直流应用，为客户提供高密度、低成本的解决方案。如今，IR新增了这些封装，能够提供一系列低压PQFN产品，包括N通道和P通道器件，20V和30V器件，最小驱动能力达到4.5V或2.5V的器件，以及单器件或双器件，它们都拥有极低的导通电阻。”

这个双PQFN系列包括专为高侧负荷开关优化的P通道器件，可提供更为简便的驱动解决方案。这些器件的封装厚度不到1 mm，与现有的表面贴装技术相兼容，并且拥有符合行业标准的占位空间，也符合电子产品有害物质管制规定(RoHS)。

产品规格

器件编号

封装

BV (V)

最大Vgs

在10V下的

典型最大导通电阻(mΩ)

在4.5V下的

典型最大导通电阻(mΩ)

在2.5V下的

典型最大导通电阻(mΩ)

IRFHS9351

PQFN

2x2

-30V

+/- 20 V

135 / 170

235 /290

-

IRLHS6276

PQFN

2x2

+20V

+/- 12 V

-

33 / 45

46 / 62

IRLHS6376

PQFN

2x2

+30V

+/- 12 V

-

48 / 63

61 / 82

IRFHM8363

PQFN

3.3x3.3

+30V

+/- 20 V

12/15

16 / 21

-