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来源:本站原创发布时间:2012-05-0247浏览
询问 AI这些新的InGaP/GaAs(磷化镓铟/砷化镓)HBT射频集成电路增益模块包括提供15dB超平增益的TQP369180与TQP369181和提供20 dB增益的TQP369182与TQP369184。这些15 dB增益和20 dB增益模块有两种经济型的塑料封装形式可供选择。该系列产品的最新成员TQP369185增益可达至20.5 dB 和 提供19.7 dBm 的P1dB,同时集成一个内部有源偏置。所有产品电阻均内部匹配至50欧姆,只需要一个外置射频扼流圈、一个降压电阻和阻隔/旁路电容进行操作。另外它们还非常坚固耐用,满足Class 1C HBM(最高2 kV)的静电放电(ESD)要求。
增益模块是在所有类型的射频和微波系统中广泛使用的一些有源元件,它们必须结合卓越的性能与非常优异的成本效益。TriQuint的这五款新器件以两种封装形式和一系列增益级选择来满足这些要求,进而满足几乎任何设计需求,同时将功耗降到最低。其宽广的工作频率范围使它们非常适用于几乎任何透过6GHz的应用。
技术细节:所有五款新增益模块均为支持直流至6GHz工作频率范围的InGaP/GaAs HBT达灵顿可级联射频集成电路。它们提供Class 1C HBM 静电放电保护以及50欧姆内部匹配。
TQP369180
15.7dB 增益;+15.2dBm P1dB;+30dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-89 封装。
TQP369181
15.6dB 增益;+15.2dBm P1dB;+30dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-363 封装。
TQP369182
22.3dB 增益;+16.1dBm P1dB,+29.5dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-89 封装。
TQP369184
22dB 增益;+16.1dBm P1dB,+29.8dBm OIP3;45mA 电流消耗;SOT-363 封装。
TQP369185
20.4dB 增益;+19.8dBm P1dB,+32.3dBm OIP3;75mA 电流消耗;SOT-89 封装。
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2026-06-24