罗姆实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装

半导体（STMicroelectronics，简称ST）宣布，GLOBALFOUNDRIES将采用意法半导体专有的 FD-SOI（Fully Depleted Silicon-on-Insulator，全耗尽绝缘体上硅）技术为意法半导体制造28纳米和20纳米芯片。当今的消费者对智能手机和平板电脑的期望越来越高，要求既能处理精美的图片，支持多媒体和高速宽带上网功能，同时又不能牺牲电池寿命。在设备厂商满足消费者这些需求的努力中，意法半导体的FD-SOI芯片的量产和上市将起到至关重要的作用。

多媒体融合应用需要性能和能效兼备的半导体技术。随着芯片外观尺寸不断缩小，传统技术无法使晶体管的性能和电池寿命同时达到最高水准，无法在实现最优性能的同时确保温度不超过安全限制。解决之道是采用FD-SOI技术，该技术兼备最高性能、低工作功耗（在各种应用中，降低电源功率后还能保持良好的性能）和低待机功耗。

凭借其注重成本效益的平面型FD-SOI技术，意法半导体率先推出了28纳米的全耗尽型器件，遥遥领先竞争对手。为FD-SOI货源提供双重保障，意法半导体与GLOBALFOUNDRIES签订了代工协议，以补充意法半导体位于法国Crolles工厂的产能。28n纳米FD-SOI器件目前已商用化，预计于2012年7月前投入原型设计；而 20纳米 FD-SOI器件目前处于研发阶段，预计2013年第三季度投入原型设计。

意法半导体的FD-SOI技术已被ST-Ericsson用于下一代移动平台，这项技术将使ST-Ericsson的 NovaThor™平台具有更高的性能和更低的功耗，在发挥最高性能的时候可降低功耗达35%。

意法半导体计划向GLOBALFOUNDRIES的其它客户开放FD-SOI技术，让他们能够使用目前最先进的 28纳米和20纳米技术研发产品。

意法半导体负责数字娱乐事业部前端制造和工艺研发业务副总裁Joel Hartmann表示：“意法半导体和合作伙伴的试验证明，FD-SOI的性能和功耗远远优于传统技术。FD-SOI是无线设备芯片和平板电脑芯片的最佳选择，虽然这项技术仍然使用传统的平面技术，但是能够提供全耗尽型晶体管的诸多优点，我们与 GLOBALFOUNDRIES的代工协议可为我们的客户提供更稳定可靠的货源。”

意法半导体负责设计支持和服务的副总裁Philippe Magarshack进一步表示： “因为没有MOS历史效应影响（MOS-history-effect），从28纳米块状硅（Bulk CMOS）技术向28纳米FD-SOI移植软件库和物理IP内核很简单。使用传统的CAD工具和方法研发FD-SOI数字系统芯片与研发传统CMOS制造工艺技术完全相同。此外，通过动态优化电路基片（俗称衬底），FD-SOI还可让同一芯片具有极高的性能或极低的功耗。最后，FD-SO在低电压条件下性能出色，能效明显高于传统的CMOS技术。”

GLOBALFOUNDRIES的首席技术官Gregg Bartlett表示：“今天的代工协议证明，产业合作对于采用尖端技术提供解决方案至关重要。 我们与意法半导体保持长期的合作关系，合作范围包括研发、制造，以及SOI技术。我们很高兴能够与意法半导体合作，把下一代SOI技术推入市场，引领移动革命继续深入发展。”