理想二极管桥控制器 最大限度地降低 PoE 受电设备

加利福尼亚州米尔皮塔斯(MILPITAS, CA) – 2013 年10月22 日–凌力尔特公司(Linear TechnologyCorporation) 推出理想二极管桥控制器LT4321，该器件用低功耗N 沟道MOSFET 桥取代了两个二极管桥式整流器，以在以太网供电的受电设备(PoE PD) 中提高可用功率并减少热量。IEEE 802.3 PoE 规范要求受电设备(PD) 的以太网输入端能够接受任何极性的DC 电源电压。具有高空间利用率和电源效率的LT4321 双路有源桥可对来自数据线对和空闲线对的电源进行整流并将其平滑地整合为极性正确的单个电源输出。由于电源效率提高而无需散热要求，所以电路尺寸和成本都降低了。功率可降低10 倍或更多，从而使PD 能够保持在PoE 分级限制之内，或者使PD 能够增加富有价值的功能，同时保持类别不变。

LT4321 经过精心设计，以符合IEEE802.3 的要求，该器件的偏置电流不影响检测和分级。该控制器用在2 或4 线对以太网上，与PoE、PoE+ 和LTPoE++™ 标准兼容。集成的充电泵为8 个低导通电阻N 沟道MOSFET 提供栅极驱动，无需外部电容器。尽管是面向PoE PD 设计，但LT4321 的20V 至80V 工作范围和100V 绝对最大值可使该器件坚固地适用于电池或电源可反向的电信应用。双极性使能引脚为LT4321 提供停机功能，从而将偏置电流从0.5mA 工作电流降至32µA。

LT4321 规定在−40ºC 至125ºC 的环境温度范围内工作，采用紧凑型16 引脚4mm x 4mm QFN 封装。千片批购价为每片2.95 美元。样品和评估电路板可在网上或联系凌力尔特当地办事处查询。如需更多信息，请登录www.linear.com.cn/product/LT4321。

性能概要：LT4321

·双路“或”二极管桥的低损耗型替代方案

·控制8 个N 沟道MOSFET

·减少热量，方便热设计

·最大限度提高可用功率和电压

·20V 至80V DC 工作，100V 绝对最大值

·符合PoEPoE+LTPoE++ 标准要求

o用于两线对或4 线对PoE 应用

o不影响IEEE 802.3 检测和分级

o与PD控制器配对时，符合IEEE 802.3 要求

·电信电源的极性校正及“或”处理

·0.8mA (最大值) 静态电流，60µA(最大值) 停机电流

·保证工作在–40ºC 至+125ºC 环境温度范围

·16 引脚4mm x 4mm QFN 封装