GeneSiC推出全SiC连接晶体管整流器（4引线微型模块合装）

碳化硅（SiC）杜勒斯，VA的功率半导体供应商安森美半导体GeneSiC公司，美国已宣布GA50SICP12-22720MΩ/ 1200V碳化硅结型晶体管，二极管的可用性在一个孤立的SOT-227 4引线微型模块封装，使极低导通，而在高频电源转换器，提供灵活的，模块化设计的能源损​​失。

采用高频率，高电压和低导通电阻能够碳化硅晶体管和整流器将减少需要更高的功率处理在高工作频率的电子应用的尺寸/重量/体积，说，该公司。的新设备是针对各种各样的应用，包括感应加热器，等离子发生器，快速充电器，DC-DC转换器，以及开关模式电源（SMPS）。

GeneSiC的1200V /20MΩ碳化硅结型晶体管，整流器共同封装在一个孤立的SOT-227封装，提供单独的门源和吸收能力。

图片：GeneSiC的1200V /20MΩ碳化硅结型晶体管，整流器共同封装在一个孤立的SOT-227封装，提供单独的门源和吸收能力。

GeneSiC表示，其共同封装的SiC结晶体管（SJT）-SiC整流器是唯一适用于电感式开关应用程序，因为SJTs是唯一的宽禁带开关，提供>10μS重复短路能力强，即使在80％额定电压（例如，960V的1200V装置）。除了子10ns的上升/下降时间和一个正方形反向偏置安全操作区（RBSOA），在新的配置中的栅极返回端显著提高以减少切换的能量的能力，GeneSiC说。新类的产品提供瞬态能量损耗和开关时间是独立的结温。 GeneSiC补充说其SiC连接的晶体管是栅极氧化物自由，常断，呈现正温度系数的导通电阻，并且能够被驱动以低的栅极电压的（不像其它碳化硅开关）。

在微型模块中使用的SiC肖特基整流器显示低通态压降，良好的浪涌电流额定值和在高温下的业界最低的泄漏电流，声称GeneSiC。与温度无关，接近零反向恢复开关特性，SiC肖特基整流器是合适的人选在高效率的电路中使用，该公司补充道。

“GeneSiC的碳化硅晶体管和整流器产品的设计和制造，以实现低通态损耗和开关损耗，”总统辛格兰比尔博士说。 “这些技术创新封装的组合有望在电源电路典范性能要求苛刻的宽禁带为基础的设备，”他补充道。 “迷你模块封装提供的各种像H桥，回扫和多级逆变器的电源电路的大的设计灵活性以供使用。”

所有设备都100％测试，以全电压/电流额定值。该器件可从GeneSiC的授权经销商。